Manual de instrucciones de Cypress CY62148ESL

Manual de instrucciones del aparato Cypress CY62148ESL

Aparato: Cypress CY62148ESL
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.34 MB
Fecha de añadido: 4/6/2014
Número de páginas: 10
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress CY62148ESL. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1

®
CY62148ESL MoBL
4-Mbit (512K x 8) Static RAM
Features Functional Description
■ Very high speed: 55 ns The CY62148ESL is a high performance CMOS static RAM
organized as 512K words by 8 bits. This device features

■ Wide voltage range: 2.2V to 3.6V and 4.5V to 5.5V
advanced circuit design to provide ultra low active current. This
®
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in portable
■ Ultra low standby power
applications such as cellular telephones. The device also has an
❐ Typical s

Resumen del contenido incluido en la página 2

® CY62148ESL MoBL Pin Configuration Figure 1. 32-Pin STSOP (Top View) A 25 24 OE 11 A A 26 23 9 10 A 27 22 CE 8 1 A 28 21 IO 13 7 WE 29 20 IO 6 A 30 19 IO 5 17 STSOP IO A 31 18 15 4 Top View V 32 17 IO CC 3 A 1 16 GND 18 (not to scale) IO A 2 15 16 2 A 3 14 IO 14 1 A IO 4 13 12 0 A A 5 12 7 0 A A 6 11 6 1 A A 7 10 5 2 A A 8 9 4 3 Product Portfolio Power Dissipation Operating I , (mA) CC Speed Standby, I [1] SB2 Product Range V Range (V) CC (ns) (μA) f = 1 MHz f = f max [2] [2] [2] Typ Max Ty

Resumen del contenido incluido en la página 3

® CY62148ESL MoBL Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the (MIL-STD-883, Method 3015) device. These user guidelines are not tested. Latch Up Current .................................................... > 200 mA Storage Temperature.................................. –65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with

Resumen del contenido incluido en la página 4

® CY62148ESL MoBL Capacitance Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters. Parameter Description Test Conditions Max Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, 10 pF IN A V = V CC CC(typ) C Output Capacitance 10 pF OUT Thermal Resistance Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters. Parameter Description Test Conditions STSOP Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch, two layer pr

Resumen del contenido incluido en la página 5

® CY62148ESL MoBL Data Retention Characteristics Over the Operating Range [2] Parameter Description Conditions Min Typ Max Unit V V for Data Retention 1.5 V DR CC I Data Retention Current CE > V – 0.2V, V = 1.5V 1 7 μA CCDR CC CC V > V – 0.2V or V < 0.2V IN CC IN [7] t Chip Deselect to Data 0ns CDR Retention Time [8] t Operation Recovery Time t ns R RC Data Retention Waveform DATA RETENTION MODE V V V CC(min) V > 1.5V CC(min) DR CC t t CDR R CE Notes 7. Tested initially and after any design or

Resumen del contenido incluido en la página 6

® CY62148ESL MoBL Switching Characteristics [9] Over the Operating Range 55 ns Parameter Description Unit Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 55 ns RC t Address to Data Valid 55 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 55 ns ACE t OE LOW to Data Valid 25 ns DOE [10] t OE LOW to Low Z 5ns LZOE [10, 11] t OE HIGH to High Z 20 ns HZOE [10] t CE LOW to Low Z 10 ns LZCE [10, 11] t CE HIGH to High Z 20 ns HZCE t CE LOW to Power Up 0 ns PU t CE HIGH to Power Up 55 ns PD

Resumen del contenido incluido en la página 7

® CY62148ESL MoBL Switching Waveforms [13, 14] Figure 3. Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled) tRC RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [14, 15] Figure 4. Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t ACE OE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA VALID DATA OUT t LZCE t PD t I V PU CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB [16, 17] Figure 5. Write Cycle No. 1 (WE Controlled, OE HIGH During Write) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t

Resumen del contenido incluido en la página 8

® CY62148ESL MoBL Switching Waveforms (continued) [16, 17] Figure 6. Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t t SD HD DATA IO DATA VALID [17] Figure 7. Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD NOTE 18 DATA VALID DATA IO t t LZWE HZWE Truth Table CE WE OE Inputs/Outputs Mode Power H X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L H L Data Out Read Active (I ) CC L H H High Z Output Disabled Act

Resumen del contenido incluido en la página 9

® CY62148ESL MoBL Ordering Information Speed Package Operating Ordering Code Package Type (ns) Diagram Range 55 CY62148ESL-55ZAXI 51-85094 32-Pin STSOP (Pb-Free) Industrial Package Diagram Figure 8. 32-Pin Shrunk Thin Small Outline Package (8 x 13.4 mm), 51-85094 51-85094-*D Document #: 001-50045 Rev. ** Page 9 of 10 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 10

® CY62148ESL MoBL Document History Page ® Document Title: CY62148ESL MoBL 4-Mbit (512K x 8) Static RAM Document Number: 001-50045 Rev. ECN No. Orig. of Submission Description of Change Change Date ** 2612938 VKN/PYRS 01/21/09 New data sheet Sales, Solutions, and Legal Information Worldwide Sales and Design Support Cypress maintains a worldwide network of offices, solution centers, manufacturer’s representatives, and distributors. To find the office closest to you, visit us at cypress.com/sales.


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