Instruction d'utilisation Cypress STK11C88

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress STK11C88

Dispositif: Cypress STK11C88
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.48 MB
Date d'addition: 8/17/2014
Nombre des pages: 15
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Notre objectif consiste à vous assurer le plus rapide accès au contenu de l'instruction d'utilisation du dispositif Cypress STK11C88. En utilisant l'aperçu en ligne vous pouvez parcourir le sommaire et passer à la page où vous trouverez la résolution de votre problème avec Cypress STK11C88.

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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress STK11C88. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

STK11C88
256 Kbit (32K x 8) SoftStore nvSRAM
Features Functional Description
■ 25 ns and 45 ns access times The Cypress STK11C88 is a 256 Kb fast static RAM with a
nonvolatile element in each memory cell. The embedded
■ Pin compatible with industry standard SRAMs ™
nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology
producing the world’s most reliable nonvolatile memory. The
■ Software initiated STORE and RECALL
SRAM provides unlimited read and write cycles, while
■ Automatic RECALL to SRAM

Résumé du contenu de la page N° 2

STK11C88 Pin Configurations Figure 1. Pin Diagram - 28-Pin SOIC Table 1. Pin Definitions - 28-Pin SOIC Pin Name Alt IO Type Description A –A Input Address Inputs. Used to select one of the 32,768 bytes of the nvSRAM. 0 14 DQ -DQ Input or Bidirectional Data IO lines. Used as input or output lines depending on operation. 0 7 Output Input Write Enable Input, Active LOW. When the chip is enabled and WE is LOW, data on the WE W IO pins is wr

Résumé du contenu de la page N° 3

STK11C88 1. Read address 0x0E38, Valid READ Device Operation 2. Read address 0x31C7, Valid READ The STK11C88 is a versatile memory chip that provides several 3. Read address 0x03E0, Valid READ modes of operation. The STK11C88 can operate as a standard 4. Read address 0x3C1F, Valid READ 32K x 8 SRAM. A 32K x 8 array of nonvolatile storage elements shadow the SRAM. SRAM data can be copied from nonvolatile 5. Read address 0x303F, Valid READ memory or nonvolatile data can be recalled to the SRAM. 6.

Résumé du contenu de la page N° 4

STK11C88 Figure 3. Icc (max) Writes Hardware Protect The STK11C88 offers hardware protection against inadvertent STORE operation and SRAM WRITEs during low voltage conditions. When V

Résumé du contenu de la page N° 5

STK11C88 Table 2. Software STORE/RECALL Mode Selection A – A Mode IO Notes CE WE 13 0 [1, 2] L H 0x0E38 Read SRAM Output Data 0x31C7 Read SRAM Output Data 0x03E0 Read SRAM Output Data 0x3C1F Read SRAM Output Data 0x303F Read SRAM Output Data 0x0FC0 Nonvolatile STORE Output Data [1, 2] L H 0x0E38 Read SRAM Output Data 0x31C7 Read SRAM Output Data 0x03E0 Read SRAM Output Data 0x3C1F Read SRAM Output Data 0x303F Read SRAM Output Data 0x0C63 Nonvolatile RECALL Output Data Notes 1. The six consecut

Résumé du contenu de la page N° 6

STK11C88 Voltage on DQ ...................................–0.5V to Vcc + 0.5V Maximum Ratings 0-7 Power Dissipation ......................................................... 1.0W Exceeding maximum ratings may shorten the useful life of the DC Output Current (1 output at a time, 1s duration).... 15 mA device. These user guidelines are not tested. Storage Temperature .................................–65 °C to +150 °C Operating Range Temperature under bias ..............................–55 °C to +1

Résumé du contenu de la page N° 7

STK11C88 Capacitance [4] In the following table, the capacitance parameters are listed. Parameter Description Test Conditions Max Unit C Input Capacitance T = 25 °C, f = 1 MHz, 5pF IN A V = 0 to 3.0 V CC C Output Capacitance 7 pF OUT Thermal Resistance [4] In the following table, the thermal resistance parameters are listed. 28-SOIC 28-SOIC Parameter Description Test Conditions Unit (300 mil) (330 mil) Θ Thermal Resistance Test conditions follow standard test methods and TBD TBD °C/W JA (Juncti

Résumé du contenu de la page N° 8

STK11C88 AC Switching Characteristics SRAM Read Cycle Parameter 25 ns 45 ns Description Unit Cypress Alt Min Max Min Max Parameter t t Chip Enable Access Time 25 45 ns ACE ELQV [5] t t t Read Cycle Time 25 45 ns RC AVAV, ELEH [6] t t Address Access Time 25 45 ns AA AVQV t t Output Enable to Data Valid 10 20 ns DOE GLQV [6] t t Output Hold After Address Change 5 5 ns OHA AXQX [7] t t Chip Enable to Output Active 5 5 ns LZCE ELQX [7] t t Chip Disable to Output Inactive 10 15 ns HZCE EHQZ [7] t t

Résumé du contenu de la page N° 9

STK11C88 SRAM Write Cycle Parameter 25 ns 45 ns Description Unit Cypress Alt Min Max Min Max Parameter t t Write Cycle Time 25 45 ns WC AVAV t t t Write Pulse Width 20 30 ns PWE WLWH, WLEH t t t Chip Enable To End of Write 20 30 ns SCE ELWH, ELEH t t t Data Setup to End of Write 10 15 ns SD DVWH, DVEH t t t Data Hold After End of Write 0 0 ns HD WHDX, EHDX t t t Address Setup to End of Write 20 30 ns AW AVWH, AVEH t t t Address Setup to Start of Write 0 0 ns SA AVWL, AVEL t t t Address Hold Aft

Résumé du contenu de la page N° 10

STK11C88 STORE INHIBIT or Power Up RECALL STK11C88 Parameter Alt Description Unit Min Max [10] t t Power up RECALL Duration 550 μs HRECALL RESTORE [6] t t STORE Cycle Duration 10 ms STORE HLHZ V Low Voltage Reset Level 3.6 V RESET V Low Voltage Trigger Level 4.0 4.5 V SWITCH Switching Waveforms Figure 9. STORE INHIBIT/Power Up RECALL V CC 5V V SWITCH V RESET STORE INHIBIT POWER-UPRECALL t HRECALL DQ (DATA OUT) POWER-UP BROWN OUT BROWN OUT BROWN OUT RECALL STORE INHIBIT STORE INHIBIT STORE INH

Résumé du contenu de la page N° 11

STK11C88 Software Controlled STORE/RECALL Cycle [11, 12] The software controlled STORE/RECALL cycle follows. 25 ns 45 ns Parameter Alt Description Unit Min Max Min Max t t STORE/RECALL Initiation Cycle Time 25 45 ns RC AVAV [11] t t Address Setup Time 0 0 ns SA AVEL [11] t t Clock Pulse Width 20 30 ns CW ELEH [11] t t Address Hold Time 20 20 ns HACE ELAX [11] RECALL Duration 20 20 μs t RECALL Switching Waveforms [12] Figure 10. CE Controlled Software STORE/RECALL Cycle t t RC RC ADDRESS # 1

Résumé du contenu de la page N° 12

STK11C88 Part Numbering Nomenclature STK11C88 - N F 25 I TR Packaging Option: TR = Tape and Reel Blank = Tube Temperature Range: Blank - Commercial (0 to 70°C) I - Industrial (-40 to 85°C) Speed: 25 - 25 ns 45 - 45 ns Lead Finish F = 100% Sn (Matte Tin) Package: N = Plastic 28-pin 300 mil SOIC S = Plastic 28-pin 330 mil SOIC Ordering Information Speed Operating Ordering Code Package Diagram Package Type (ns) Range 25 STK11C88-NF25TR 51-85026 28-Pin SOIC (300 mil) Commercial STK11C88-NF25 51-85

Résumé du contenu de la page N° 13

STK11C88 Package Diagrams Figure 11. 28-Pin (300 mil) SOIC (51-85026) NOTE : PIN 1 ID 1. JEDEC STD REF MO-119 2. BODY LENGTH DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION/END FLASH,BUT DOES INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE MEASURED AT THE MOLD PARTING LINE. 14 1 MOLD PROTRUSION/END FLASH SHALL NOT EXCEED 0.010 in (0.254 mm) PER SIDE 3. DIMENSIONS IN INCHES MIN. MAX. 0.291[7.39] 4. PACKAGE WEIGHT 0.85gms 0.300[7.62] * 0.394[10.01] 0.419[10.64] PART # 15 28 0.026[0.66] S28.3 STANDARD PKG. 0.032[0.81] S

Résumé du contenu de la page N° 14

STK11C88 Package Diagrams (continued) Figure 12. 28-Pin (330 mil) SOIC (51-85058) 51-85058-*A Document Number: 001-50591 Rev. ** Page 14 of 15 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 15

STK11C88 Document History Page Document Title: STK11C88 256 Kbit (32K x 8) SoftStore nvSRAM Document Number: 001-50591 Orig. of Submission Rev. ECN No. Description of Change Change Date ** 2625096 GVCH/PYRS 12/19/08 New data sheet Sales, Solutions and Legal Information Worldwide Sales and Design Support Cypress maintains a worldwide network of offices, solution centers, manufacturer’s representatives, and distributors. To find the office closest to you, visit us at cypress.com/sales. Products


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