Cypress CY14E256L دليل المستخدم

دليل المستخدم للجهاز Cypress CY14E256L

جهاز: Cypress CY14E256L
فئة: أجزاء الكمبيوتر
الصانع: Cypress
مقاس: 0.65 MB
مضاف: 4/6/2014
عدد الصفحات: 18
اطبع الدليل

تحميل

كيفية استخدام هذا الموقع؟

هدفنا هو أن نوفر لك وصولاً سريعًا إلى محتوى دليل المستخدم الخاص بـ Cypress CY14E256L. باستخدام المعاينة عبر الإنترنت ، يمكنك عرض المحتويات بسرعة والانتقال إلى الصفحة حيث ستجد الحل لمشكلتك مع Cypress CY14E256L.

لراحتك

إذا لم يكن البحث في دليل المستخدم Cypress CY14E256L مباشرة على موقع الويب هذا مناسبًا لك ، فهناك حلان محتملان:

  • عرض ملء الشاشة - لعرض دليل المستخدم بسهولة (بدون تنزيله على جهاز الكمبيوتر الخاص بك) ، يمكنك استخدام وضع العرض بملء الشاشة. لبدء مشاهدة دليل المستخدم Cypress CY14E256L بملء الشاشة ، استخدم الزر تكبير الشاشة.
  • التنزيل على جهاز الكمبيوتر الخاص بك - يمكنك أيضًا تنزيل دليل المستخدم Cypress CY14E256L على جهاز الكمبيوتر لديك والاحتفاظ به في ملفاتك. ومع ذلك ، إذا كنت لا تريد أن تشغل مساحة كبيرة على القرص الخاص بك ، فيمكنك دائمًا تنزيله في المستقبل من ManualsBase.
Cypress CY14E256L دليل الاستخدام - Online PDF
Advertisement
« Page 1 of 18 »
Advertisement
النسخة المطبوعة

يفضل العديد من الأشخاص قراءة المستندات ليس على الشاشة ، ولكن في النسخة المطبوعة. تم أيضًا توفير خيار طباعة الدليل ، ويمكنك استخدامه بالنقر فوق الارتباط أعلاه - اطبع الدليل. لا يتعين عليك طباعة الدليل بالكامل Cypress CY14E256L ولكن الصفحات المحددة فقط. ورق.

الملخصات

ستجد أدناه معاينات لمحتوى أدلة المستخدم المقدمة في الصفحات التالية لـ Cypress CY14E256L. إذا كنت ترغب في عرض محتوى الصفحات الموجودة في الصفحات التالية من الدليل بسرعة ، فيمكنك استخدامها.

ملخصات المحتويات
ملخص المحتوى في الصفحة رقم 1

CY14E256L
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM
Features Functional Description
■ 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times The Cypress CY14E256L is a fast static RAM with a nonvolatile
element in each memory cell. The embedded nonvolatile
■ Pin compatible with STK14C88
elements incorporate QuantumTrap technology producing the
world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides
■ Hands off automatic STORE on power down with external 68
unlimited read and write cycles, while independent, nonvolatile
µF c

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 2

CY14E256L Pin Configurations Figure 1. Pin Diagram: 32-Pin SOIC/DIP Pin Definitions Pin Name Alt IO Type Description A –A Input Address Inputs. Used to select one of the 32,768 bytes of the nvSRAM. 0 14 DQ -DQ Input or Output Bidirectional Data IO Lines. Used as input or output lines depending on operation. 0 7 Input Write Enable Input, Active LOW. When the chip is enabled and WE is LOW, data on the IO WE W pins is written to the specific address location. Input Chip Enable Input, Active LOW.

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 3

CY14E256L having a capacitor of between 68uF and 220uF (+ 20%) rated at Device Operation 6V should be provided. The voltage on the V pin is driven to CAP 5V by a charge pump internal to the chip. A pull up is placed on The CY14E256L nvSRAM is made up of two functional compo- WE to hold it inactive during power up. nents paired in the same physical cell. These are an SRAM memory cell and a nonvolatile QuantumTrap cell. The SRAM Figure 2. AutoStore Mode memory cell operates as a standard fast st

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 4

CY14E256L Figure 3. AutoStore Inhibit Mode If the CY14E256L is in a WRITE state at the end of power up RECALL, the SRAM data is corrupted. To help avoid this situation, a 10 Kohm resistor is connected either between WE and system V or between CE and system V . CC CC Software STORE Data is transferred from the SRAM to the nonvolatile memory by a software address sequence. The CY14E256L software STORE cycle is initiated by executing sequential CE controlled READ cycles from six specific address

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 5

CY14E256L Figure 4. Current Versus Cycle Time (READ) Data Protection The CY14E256L protects data from corruption during low voltage conditions by inhibiting all externally initiated STORE and WRITE operations. The low voltage condition is detected when V is less than V . If the CY14E256L is in a WRITE CC SWITCH mode (both CE and WE are low) at power up after a RECALL or after a STORE, the WRITE is inhibited until a negative transition on CE or WE is detected. This protects against inadvertent w

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 6

CY14E256L manufacturing test to ensure these system routines work Best Practices consistently. nvSRAM products have been used effectively for over 15 years. ■ Power up boot firmware routines should rewrite the nvSRAM While ease of use is one of the product’s main system values, into the desired state. While the nvSRAM is shipped in a preset experience gained working with hundreds of applications has state, best practice is to again rewrite the nvSRAM into the resulted in the following sugge

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 7

CY14E256L Package Power Dissipation Maximum Ratings Capability (T = 25°C) ................................................... 1.0W A Exceeding maximum ratings may shorten the useful life of the Surface Mount Lead Soldering device. These user guidelines are not tested. Temperature (3 Seconds).......................................... +260 °C Storage Temperature ................................. –65 °C to +150 °C DC output Current (1 output at a time, 1s duration) .... 15 mA Ambient Temperature w

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 8

CY14E256L DC Electrical Characteristics [6] Over the operating range (continued)(V = 4.5V to 5.5V) CC Parameter Description Test Conditions Min Max Unit V Output LOW Voltage I = 8 mA 0.4 V OL OUT V Logic ‘0’ Voltage on HSB I = 3 mA 0.4 V BL OUT Output V Storage Capacitor Between V pin and Vss, 6V rated. 68 µF +20% nom. 54 260 uF CAP CAP Data Retention and Endurance Parameter Description Min Unit DATA Data Retention 100 Years R NV Nonvolatile STORE Operations 1,000 K C Capacitance [8] In the fol

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 9

CY14E256L AC Switching Characteristics SRAM Read Cycle Parameter 25 ns 35 ns 45 ns Description Unit Cypress Alt Min Max Min Max Min Max Parameter t t Chip Enable Access Time 25 35 45 ns ACE ELQV [9] t t t Read Cycle Time 25 35 45 ns RC AVAV, ELEH [10] t t Address Access Time 25 35 45 ns AA AVQV t t Output Enable to Data Valid 10 15 20 ns DOE GLQV [10] t t Output Hold After Address Change 5 5 5 ns OHA AXQX [11] t t Chip Enable to Output Active 5 5 5 ns LZCE ELQX [11] t t Chip Disable to Output

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 10

CY14E256L SRAM Write Cycle Parameter 25 ns 35 ns 45 ns Description Unit Cypress Alt Min Max Min Max Min Max Parameter t t Write Cycle Time 25 35 45 ns WC AVAV t t t Write Pulse Width 20 25 30 ns PWE WLWH, WLEH t t t Chip Enable To End of Write 20 25 30 ns SCE ELWH, ELEH t t t Data Setup to End of Write 10 12 15 ns SD DVWH, DVEH t t t Data Hold After End of Write 0 0 0 ns HD WHDX, EHDX t t t Address Setup to End of Write 20 25 30 ns AW AVWH, AVEH t t t Address Setup to Start of Write 0 0 0 ns SA

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 11

CY14E256L AutoStore or Power Up RECALL CY14E256L Parameter Alt Description Unit Min Max [15] t t Power up RECALL Duration 550 μs HRECALL RESTORE [16] t t STORE Cycle Duration 10 ms STORE HLHZ [16] t t t Time Allowed to Complete SRAM Cycle 1 μs DELAY HLQZ , BLQZ V Low Voltage Trigger Level 4.0 4.5 V SWITCH V Low Voltage Reset Level 3.6 V RESET t V Rise Time 150 μs VCCRISE CC [13] t Low Voltage Trigger (V ) to HSB low 300 ns VSBL SWITCH Switching Waveforms Figure 11. AutoStore/Power Up RECALL W

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 12

CY14E256L Software Controlled STORE/RECALL Cycle [19] The software controlled STORE/RECALL cycle follows. 25 ns 35 ns 45 ns Parameter Alt Description Unit Min Max Min Max Min Max [16] t t STORE/RECALL Initiation Cycle Time 25 35 45 ns RC AVAV [18, 19] t t Address Setup Time 0 0 0 ns SA AVEL [18, 19] t t Clock Pulse Width 20 25 30 ns CW ELEH [18, 19] t t Address Hold Time 20 20 20 ns HACE ELAX RECALL Duration 20 20 20 μs t RECALL Switching Waveforms [19] Figure 12. CE Controlled Software STORE

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 13

CY14E256L Hardware STORE Cycle CY14E256L Parameter Alt Description Unit Min Max [16, 20] t t t Hardware STORE High to Inhibit Off 700 ns DHSB RECOVER, HHQX t t Hardware STORE Pulse Width 15 ns PHSB HLHX t Hardware STORE Low to STORE Busy 300 ns HLBL Switching Waveforms Figure 13. Hardware STORE Cycle Note 20. t is only applicable after t is complete. DHSB STORE Document Number: 001-06968 Rev. *F Page 13 of 18 [+] Feedback

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 14

CY14E256L Part Numbering Nomenclature (Commercial and Industrial) CY 14 E 256 L- SZ 25 X C T Option: T-Tape and Reel Blank - Std. Temperature: C - Commercial (0 to 70°C) I - Industrial (-40 to 85°C) Speed: Pb-Free 25 - 25 ns 35 - 35 ns Package 45 - 45 ns SZ - 32-SOIC D - 32-CDIP Data Bus: Density: L - x8 256 - 256 Kb Voltage: E - 5.0V nvSRAM 14 - AutoStore + Software Store + Hardware Store Cypress Ordering Information Speed Operating Ordering Code Package Diagram Package Type (ns) Range 25 CY

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 15

CY14E256L Package Diagram Figure 14. 32-Pin (300 Mil) SOIC (51-85127) PIN 1 ID 16 1 MIN. DIMENSIONS IN INCHES[MM] 0.292[7.416] 0.299[7.594] MAX. 0.405[10.287] REFERENCE JEDEC MO-119 0.419[10.642] PART # 17 32 S32.3 STANDARD PKG. SZ32.3 LEAD FREE PKG. SEATING PLANE 0.810[20.574] 0.822[20.878] 0.090[2.286] 0.100[2.540] 0.004[0.101] 0.050[1.270] 0.006[0.152] 0.026[0.660] 51-85058 *A 0.021[0.533] TYP. 0.012[0.304] 0.032[0.812] 0.041[1.041] 0.004[0.101] 0.0100[0.254] 0.014[0.355] 0.020[0.508] 51-851

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 16

CY14E256L Package Diagram (continued) Figure 15. 32-Pin (300 Mil) CDIP (001-51694) 001-51694 ** Document Number: 001-06968 Rev. *F Page 16 of 18 [+] Feedback

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 17

CY14E256L Document History Page Document Title: CY14E256L 256 Kbit (32K x 8) nvSRAM Document Number: 001-06968 Submission Orig. of Rev. ECN No. Description of Change Date Change ** 427789 See ECN TUP New data sheet *A 437321 See ECN TUP Show data sheet on external Web *B 472053 See ECN TUP Updated Part Numbering Nomenclature and Ordering Information *C 503290 See ECN PCI Changed from “Advance” to “Preliminary” Changed the term “Unlimited” to “Infinite” Changed I value from 10mA to 15mA CC3 Re

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 18

CY14E256L Sales, Solutions, and Legal Information Worldwide Sales and Design Support Cypress maintains a worldwide network of offices, solution centers, manufacturer’s representatives, and distributors. To find the office closest to you, visit us at cypress.com/sales Products PSoC Solutions PSoC psoc.cypress.com General psoc.cypress.com/solutions Clocks & Buffers clocks.cypress.com Low Power/Low Voltage psoc.cypress.com/low-power Wireless wireless.cypress.com Precision Analog psoc.cypress.com/pr


أدلة المستخدم البديلة
# دليل الاستخدام فئة تحميل
1 Cypress CapSense CY8C20x36 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
2 Cypress CY14B101L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
3 Cypress CY14B101LA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
4 Cypress CY14B104N دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
5 Cypress AutoStore STK14CA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
6 Cypress CY14B101Q2 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
7 Cypress CY14B104L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
8 Cypress CY2048WAF دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
9 Cypress CY14B108L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
10 Cypress 7C185-15 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
11 Cypress CY14B104NA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
12 Cypress CY14B104M دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
13 Cypress AutoStore STK17TA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
14 Cypress CY62158E دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
15 Cypress CY14B256L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
16 Sony MSAKIT-PC4A دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 2
17 Sony MRW62E-S1 2694866142 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 5
18 Philips MATCH LINE 9596 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 17
19 Sony 64GB SDHC Class 10 Memory Card Readers SF32UY دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1
20 Philips PSC702 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1