Cypress CY7C1520KV18 دليل المستخدم

دليل المستخدم للجهاز Cypress CY7C1520KV18

جهاز: Cypress CY7C1520KV18
فئة: أجزاء الكمبيوتر
الصانع: Cypress
مقاس: 1.23 MB
مضاف: 6/27/2014
عدد الصفحات: 30
اطبع الدليل

تحميل

كيفية استخدام هذا الموقع؟

هدفنا هو أن نوفر لك وصولاً سريعًا إلى محتوى دليل المستخدم الخاص بـ Cypress CY7C1520KV18. باستخدام المعاينة عبر الإنترنت ، يمكنك عرض المحتويات بسرعة والانتقال إلى الصفحة حيث ستجد الحل لمشكلتك مع Cypress CY7C1520KV18.

لراحتك

إذا لم يكن البحث في دليل المستخدم Cypress CY7C1520KV18 مباشرة على موقع الويب هذا مناسبًا لك ، فهناك حلان محتملان:

  • عرض ملء الشاشة - لعرض دليل المستخدم بسهولة (بدون تنزيله على جهاز الكمبيوتر الخاص بك) ، يمكنك استخدام وضع العرض بملء الشاشة. لبدء مشاهدة دليل المستخدم Cypress CY7C1520KV18 بملء الشاشة ، استخدم الزر تكبير الشاشة.
  • التنزيل على جهاز الكمبيوتر الخاص بك - يمكنك أيضًا تنزيل دليل المستخدم Cypress CY7C1520KV18 على جهاز الكمبيوتر لديك والاحتفاظ به في ملفاتك. ومع ذلك ، إذا كنت لا تريد أن تشغل مساحة كبيرة على القرص الخاص بك ، فيمكنك دائمًا تنزيله في المستقبل من ManualsBase.
Cypress CY7C1520KV18 دليل الاستخدام - Online PDF
Advertisement
« Page 1 of 30 »
Advertisement
النسخة المطبوعة

يفضل العديد من الأشخاص قراءة المستندات ليس على الشاشة ، ولكن في النسخة المطبوعة. تم أيضًا توفير خيار طباعة الدليل ، ويمكنك استخدامه بالنقر فوق الارتباط أعلاه - اطبع الدليل. لا يتعين عليك طباعة الدليل بالكامل Cypress CY7C1520KV18 ولكن الصفحات المحددة فقط. ورق.

الملخصات

ستجد أدناه معاينات لمحتوى أدلة المستخدم المقدمة في الصفحات التالية لـ Cypress CY7C1520KV18. إذا كنت ترغب في عرض محتوى الصفحات الموجودة في الصفحات التالية من الدليل بسرعة ، فيمكنك استخدامها.

ملخصات المحتويات
ملخص المحتوى في الصفحة رقم 1

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18
CY7C1518KV18, CY7C1520KV18
72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word
Burst Architecture
Features Functional Description
■ 72-Mbit Density (8M x 8, 8M x 9, 4M x 18, 2M x 36) The CY7C1516KV18, CY7C1527KV18, CY7C1518KV18, and
CY7C1520KV18 are 1.8V Synchronous Pipelined SRAM
■ 333 MHz Clock for High Bandwidth
equipped with DDR-II architecture. The DDR-II consists of an
SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and
■ 2-word Burst for reducing Address Bus Frequency
a 1-bit

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 2

4M x 8 Array 4M x 9 Array 4M x 8 Array 4M x 9 Array CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Logic Block Diagram (CY7C1516KV18) Write Write 22 A Reg Reg (21:0) Address Register 8 LD K Output CLK R/W K Logic Gen. Control C DOFF Read Data Reg. C 16 CQ V 8 REF 8 Reg. Reg. CQ Control R/W Logic 8 NWS 8 [1:0] Reg. DQ 8 [7:0] Logic Block Diagram (CY7C1527KV18) Write Write 22 A Reg Reg (21:0) Address Register 9 LD K Output CLK R/W K Logic Gen. Control C DOFF Read Data Reg. C 18 CQ V 9 REF 9

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 3

1M x 36 Array 2M x 18 Array 1M x 36 Array 2M x 18 Array CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Logic Block Diagram (CY7C1518KV18) Burst A0 Logic Write Write 22 21 A Reg Reg (21:0) A Address (21:1) Register 18 LD K Output CLK R/W K Logic Gen. Control C DOFF Read Data Reg. C 36 CQ V 18 REF 18 Reg. Reg. Control CQ R/W Logic 18 18 BWS DQ [1:0] Reg. 18 [17:0] Logic Block Diagram (CY7C1520KV18) Burst A0 Logic Write Write 21 20 A Reg Reg (20:0) A Address (20:1) Register 36 LD K Output CL

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 4

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Pin Configuration [1] The pin configurations for CY7C1516KV18, CY7C1527KV18, CY7C1518KV18, and CY7C1520KV18 follow. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout CY7C1516KV18 (8M x 8) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 A CQ AA R/W NWS K NC/144M LD AA CQ 1 B NC NC NC A NC/288M K NWS ANC NC DQ3 0 C NC NC NC V AAA V NC NC NC SS SS D NC NC NC V V V V V NC NC NC SS SS SS SS SS E NC NC DQ4 V V V V V NC NC DQ2 DDQ SS SS SS DDQ F NC NC NC V V V V V NC NC NC DDQ DD

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 5

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Pin Configuration (continued) [1] The pin configurations for CY7C1516KV18, CY7C1527KV18, CY7C1518KV18, and CY7C1520KV18 follow. 165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout CY7C1518KV18 (4M x 18) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 A CQ AA R/W BWS K NC/144M LD AA CQ 1 B NC DQ9 NC A NC/288M K BWS ANC NC DQ8 0 C NC NC NC V AA0A V NC DQ7 NC SS SS D NC NC DQ10 V V V V V NC NC NC SS SS SS SS SS E NC NC DQ11 V V V V V NC NC DQ6 DDQ SS SS SS DDQ F NC DQ12 NC V V

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 6

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Pin Definitions Pin Name I/O Pin Description DQ Input Output- Data Input Output Signals. Inputs are sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write [x:0] Synchronous operations. These pins drive out the requested data when the read operation is active. Valid data is driven out on the rising edge of both the C and C clocks during read operations or K and K when in single clock mode. When read access is deselected, Q are aut

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 7

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Pin Definitions (continued) Pin Name I/O Pin Description CQ Output Clock CQ Referenced with Respect to C. This is a free running clock and is synchronized to the input clock for output data (C) of the DDR-II. In the single clock mode, CQ is generated with respect to K. The timing for the echo clocks is shown in the AC Timing table. CQ Output Clock CQ Referenced with Respect to C. This is a free running clock and is synchronized to the inpu

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 8

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 are both asserted active. On the data register, provided BWS Functional Overview [1:0] subsequent rising edge of the Negative Input Clock (K) the infor- mation presented to D is also stored into the write data The CY7C1516KV18, CY7C1527KV18, CY7C1518KV18, and [17:0] register, provided BWS are both asserted active. The 36 bits CY7C1520KV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs [1:0] of data are then written into the memory array at the specif

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 9

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Programmable Impedance PLL An external resistor, RQ, must be connected between the ZQ pin These chips use a PLL that is designed to function between on the SRAM and V to allow the SRAM to adjust its output 120 MHz and the specified maximum clock frequency. During SS driver impedance. The value of RQ must be 5x the value of the power up, when the DOFF is tied HIGH, the PLL is locked after intended line impedance driven by the SRAM. The allow

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 10

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Truth Table [2, 3, 4, 5, 6, 7] The truth table for the CY7C1516KV18, CY7C1527KV18, CY7C1518KV18, and CY7C1520KV18 follow. Operation K LD R/W DQ DQ Write Cycle: L-H L L D(A1) at K(t + 1) ↑ D(A2) at K(t + 1) ↑ Load address; wait one cycle; input write data on consecutive K and K rising edges. Read Cycle: L-H L H Q(A1) at C(t + 1)↑ Q(A2) at C(t + 2) ↑ Load address; wait one and a half cycle; read data on consecutive C and C rising edges. NOP:

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 11

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Write Cycle Descriptions [2, 8] The write cycle description table for CY7C1527KV18 follows. BWS K K 0 L L–H – During the data portion of a write sequence, the single byte (D ) is written into the device. [8:0] ) is written into the device. L – L–H During the data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] H L–H – No data is written into the device during this portion of a write operation. H – L–H No data is written into the device

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 12

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Instruction Register IEEE 1149.1 Serial Boundary Scan (JTAG) Three-bit instructions are serially loaded into the instruction These SRAMs incorporate a serial boundary scan Test Access register. This register is loaded when it is placed between the TDI Port (TAP) in the FBGA package. This part is fully compliant with and TDO pins, as shown in TAP Controller Block Diagram on IEEE Standard #1149.1-2001. The TAP operates using JEDEC page 15. Upon

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 13

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 IDCODE PRELOAD places an initial data pattern at the latched parallel outputs of the boundary scan register cells before the selection The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bit code into of another boundary scan test operation. the instruction register. It also places the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the The shifting of data for the SAMPLE and PRELOAD phases can device when the TA

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 14

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 TAP Controller State Diagram [9] The state diagram for the TAP controller follows. TEST-LOGIC 1 RESET 0 1 1 1 TEST-LOGIC/ SELECT SELECT 0 IDLE DR-SCAN IR-SCAN 0 0 1 1 CAPTURE-DR CAPTURE-IR 0 0 0 0 SHIFT-DR SHIFT-IR 1 1 1 1 EXIT1-DR EXIT1-IR 0 0 0 0 PAUSE-DR PAUSE-IR 1 1 0 0 EXIT2-DR EXIT2-IR 1 1 UPDATE-IR UPDATE-DR 1 1 0 0 Note 9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK. Document Number: 001-00437 Rev

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 15

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 TAP Controller Block Diagram 0 Bypass Register 2 1 0 Selection Selection TDI TDO Instruction Register Circuitry Circuitry 31 30 29 . . 2 1 0 Identification Register . 108 . . . 2 1 0 Boundary Scan Register TCK TAP Controller TMS TAP Electrical Characteristics [10, 11, 12] Over the Operating Range Parameter Description Test Conditions Min Max Unit V Output HIGH Voltage I = −2.0 mA 1.4 V OH1 OH Output HIGH Voltage I = −100 μA1.6 V V OH2 OH

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 16

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 TAP AC Switching Characteristics [13, 14] Over the Operating Range Parameter Description Min Max Unit t TCK Clock Cycle Time 50 ns TCYC t TCK Clock Frequency 20 MHz TF t TCK Clock HIGH 20 ns TH t TCK Clock LOW 20 ns TL Setup Times t TMS Setup to TCK Clock Rise 5 ns TMSS t TDI Setup to TCK Clock Rise 5 ns TDIS t Capture Setup to TCK Rise 5 ns CS Hold Times t TMS Hold after TCK Clock Rise 5 ns TMSH t TDI Hold after Clock Rise 5 ns TDIH t Capt

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 17

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Identification Register Definitions Value Instruction Field Description CY7C1516KV18 CY7C1527KV18 CY7C1518KV18 CY7C1520KV18 Revision Number 000 000 000 000 Version number. (31:29) Cypress Device ID 11010100010000100 11010100010001100 11010100010010100 11010100010100100 Defines the type of (28:12) SRAM. Cypress JEDEC ID 00000110100 00000110100 00000110100 00000110100 Allows unique (11:1) identification of SRAM vendor. ID Register 1111 Indi

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 18

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1J 1 6P29 9G 57 5B85 2J 2 6N 30 11F 58 5A 86 3K 3 7P 31 11G 59 4A 87 3J 4 7N32 9F 60 5C88 2K 5 7R 33 10F 61 4B 89 1K 6 8R 34 11E 62 3A 90 2L 7 8P 35 10E 63 2A 91 3L 8 9R 36 10D 64 1A 92 1M 9 11P 37 9E 65 2B 93 1L 10 10P 38 10C 66 3B 94 3N 11 10N 39 11D 67 1C 95 3M 12 9P 40 9C 68 1B 96 1N 13 10M 41 9D 69 3D 97 2M 14 11N 42 11B 70 3C 98 3P 15 9M 43

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 19

~ ~ CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 PLL Constraints Power Up Sequence in DDR-II SRAM ■ PLL uses K clock as its synchronizing input. The input must DDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a have low phase jitter, which is specified as t . KC Var predefined manner to prevent undefined operations. ■ The PLL functions at frequencies down to 120 MHz. Power Up Sequence ■ If the input clock is unstable and the PLL is enabled, then the ■ Apply power and drive DOFF eith

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 20

CY7C1516KV18, CY7C1527KV18 CY7C1518KV18, CY7C1520KV18 Current into Outputs (LOW) ........................................ 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M 3015).... >2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the Latch up Current..................................................... >200 mA device. These user guidelines are not tested. Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with Pow


أدلة المستخدم البديلة
# دليل الاستخدام فئة تحميل
1 Cypress CapSense CY8C20x36 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
2 Cypress CY14B101L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
3 Cypress CY14B101LA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
4 Cypress CY14B104N دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
5 Cypress AutoStore STK14CA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
6 Cypress CY14B101Q2 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
7 Cypress CY14B104L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
8 Cypress CY2048WAF دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
9 Cypress CY14B108L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
10 Cypress 7C185-15 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
11 Cypress CY14B104NA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
12 Cypress CY14B104M دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
13 Cypress AutoStore STK17TA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
14 Cypress CY62158E دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
15 Cypress CY14B256L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
16 Sony MSAKIT-PC4A دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 2
17 Sony MRW62E-S1 2694866142 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 5
18 Philips MATCH LINE 9596 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 17
19 Sony 64GB SDHC Class 10 Memory Card Readers SF32UY دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1
20 Philips PSC702 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1