Cypress Perform CY7C1565V18 دليل المستخدم

دليل المستخدم للجهاز Cypress Perform CY7C1565V18

جهاز: Cypress Perform CY7C1565V18
فئة: أجزاء الكمبيوتر
الصانع: Cypress
مقاس: 0.75 MB
مضاف: 10/17/2014
عدد الصفحات: 28
اطبع الدليل

تحميل

كيفية استخدام هذا الموقع؟

هدفنا هو أن نوفر لك وصولاً سريعًا إلى محتوى دليل المستخدم الخاص بـ Cypress Perform CY7C1565V18. باستخدام المعاينة عبر الإنترنت ، يمكنك عرض المحتويات بسرعة والانتقال إلى الصفحة حيث ستجد الحل لمشكلتك مع Cypress Perform CY7C1565V18.

لراحتك

إذا لم يكن البحث في دليل المستخدم Cypress Perform CY7C1565V18 مباشرة على موقع الويب هذا مناسبًا لك ، فهناك حلان محتملان:

  • عرض ملء الشاشة - لعرض دليل المستخدم بسهولة (بدون تنزيله على جهاز الكمبيوتر الخاص بك) ، يمكنك استخدام وضع العرض بملء الشاشة. لبدء مشاهدة دليل المستخدم Cypress Perform CY7C1565V18 بملء الشاشة ، استخدم الزر تكبير الشاشة.
  • التنزيل على جهاز الكمبيوتر الخاص بك - يمكنك أيضًا تنزيل دليل المستخدم Cypress Perform CY7C1565V18 على جهاز الكمبيوتر لديك والاحتفاظ به في ملفاتك. ومع ذلك ، إذا كنت لا تريد أن تشغل مساحة كبيرة على القرص الخاص بك ، فيمكنك دائمًا تنزيله في المستقبل من ManualsBase.
Cypress Perform CY7C1565V18 دليل الاستخدام - Online PDF
Advertisement
« Page 1 of 28 »
Advertisement
النسخة المطبوعة

يفضل العديد من الأشخاص قراءة المستندات ليس على الشاشة ، ولكن في النسخة المطبوعة. تم أيضًا توفير خيار طباعة الدليل ، ويمكنك استخدامه بالنقر فوق الارتباط أعلاه - اطبع الدليل. لا يتعين عليك طباعة الدليل بالكامل Cypress Perform CY7C1565V18 ولكن الصفحات المحددة فقط. ورق.

الملخصات

ستجد أدناه معاينات لمحتوى أدلة المستخدم المقدمة في الصفحات التالية لـ Cypress Perform CY7C1565V18. إذا كنت ترغب في عرض محتوى الصفحات الموجودة في الصفحات التالية من الدليل بسرعة ، فيمكنك استخدامها.

ملخصات المحتويات
ملخص المحتوى في الصفحة رقم 1

CY7C1561V18, CY7C1576V18
CY7C1563V18, CY7C1565V18
72-Mbit QDR™-II+ SRAM 4-Word Burst
Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
Features Configurations
■ Separate independent read and write data ports With Read Cycle Latency of 2.5 cycles:
❐ Supports concurrent transactions CY7C1561V18 – 8M x 8
CY7C1576V18 – 8M x 9
■ 400 MHz clock for high bandwidth
CY7C1563V18 – 4M x 18
■ 4-word burst for reducing address bus frequency
CY7C1565V18 – 2M x 36
■ Double Data Rate (DDR) interfaces on both read and write

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 2

2M x 8 Array 2M x 9 Array 2M x 8 Array 2M x 9 Array 2M x 8 Array 2M x 9 Array 2M x 8 Array 2M x 9 Array CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Logic Block Diagram (CY7C1561V18) 8 D [7:0] Write Write Write Write 21 Address A Reg Reg Reg Reg (20:0) Register 21 Address A (20:0) Register RPS K Control CLK K Logic Gen. DOFF Read Data Reg. CQ 32 V 16 REF 8 CQ Reg. Reg. Control 8 WPS Logic 8 16 8 Q NWS Reg. [7:0] [1:0] 8 QVLD Logic Block Diagram (CY7C1576V18) 9 D [8:0] Write Write Write Writ

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 3

1M x 18 Array 512K x 36 Array 1M x 18 Array 512K x 36 Array 1M x 18 Array 512K x 36 Array 1M x 18 Array 512K x 36 Array CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Logic Block Diagram (CY7C1563V18) 18 D [17:0] Write Write Write Write 20 Address A Reg Reg Reg Reg (19:0) Register 20 Address A (19:0) Register RPS K Control CLK K Logic Gen. DOFF Read Data Reg. CQ 72 V 36 REF 18 CQ Reg. Reg. Control WPS 18 Logic 18 18 36 BWS Q Reg. [1:0] [17:0] 18 QVLD Logic Block Diagram (CY7C1565V18) 36 D [35

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 4

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Pin Configuration [2] The pin configuration for CY7C1561V18, CY7C1576V18, CY7C1563V18, and CY7C1565V18 follow. 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout CY7C1561V18 (8M x 8) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 A CQ AA WPS NWS K NC/144M RPS AA CQ 1 B NC NC NC A NC/288M K NWS ANC NC Q3 0 C NC NC NC V ANC A V NC NC D3 SS SS D NC D4 NC V V V V V NC NC NC SS SS SS SS SS E NC NC Q4 V V V V V NC D2 Q2 DDQ SS SS SS DDQ F NC NC NC V V V V V NC NC NC DDQ DD SS DD DDQ

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 5

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Pin Configuration (continued) [2] The pin configuration for CY7C1561V18, CY7C1576V18, CY7C1563V18, and CY7C1565V18 follow. 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout CY7C1563V18 (4M x 18) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 A CQ NC/144M A WPS BWS K NC/288M RPS AA CQ 1 B NC Q9 D9 A NC K BWS ANC NC Q8 0 C NC NC D10 V ANC A V NC Q7 D8 SS SS D NC D11 Q10 V V V V V NC NC D7 SS SS SS SS SS E NC NC Q11 V V V V V NC D6 Q6 DDQ SS SS SS DDQ F NC Q12 D12 V V V V V NC N

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 6

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Pin Definitions Pin Name IO Pin Description D Input- Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks when valid write operations are active. [x:0] Synchronous CY7C1561V18 − D [7:0] CY7C1576V18 − D [8:0] CY7C1563V18 − D [17:0] CY7C1565V18 − D [35:0] WPS Input- Write Port Select − Active LOW. Sampled on the rising edge of the K clock. When asserted active, a Synchronous write operation is initiated. Deasserting deselects the Wri

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 7

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Pin Definitions (continued) Pin Name IO Pin Description ZQ Input Output Impedance Matching Input. This input is used to tune the device outputs to the system data bus impedance. CQ, CQ and Q output impedance are set to 0.2 x RQ, where RQ is a resistor connected [x:0] between ZQ and ground. Alternately, this pin can be connected directly to V , which enables the DDQ minimum impedance mode. This pin cannot be connected directly to GND or left

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 8

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 seamless transition between devices without the insertion of wait Functional Overview states in a depth expanded memory. The CY7C1561V18, CY7C1576V18, CY7C1563V18, and Write Operations CY7C1565V18 are synchronous pipelined Burst SRAMs equipped with a read port and a write port. The read port is Write operations are initiated by asserting WPS active at the dedicated to read operations and the write port is dedicated to rising edge of the positive

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 9

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Depth Expansion Valid Data Indicator (QVLD) The CY7C1563V18 has a port select input for each port. This QVLD is provided on the QDR-II+ to simplify data capture on high enables for easy depth expansion. Both port selects are sampled speed systems. The QVLD is generated by the QDR-II+ device on the rising edge of the positive input clock only (K). Each port along with data output. This signal is also edge-aligned with the select input can deselect

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 10

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 [3, 4, 5, 6, 7, 8] The truth table for CY7C1561V18, CY7C1576V18, CY7C1563V18, and CY7C1565V18 follows. Truth Table Operation K RPS WPS DQ DQ DQ DQ [9] [10] L-H H L D(A) at K(t + 1) ↑ D(A + 1) at K(t + 1) ↑ D(A + 2) at K(t + 2) ↑ D(A + 3) at K(t + 2) ↑ Write Cycle: Load address on the rising edge of K; input write data on two consecutive K and K rising edges. [10] Read Cycle: L-H L XQ(A) at K(t + 2)↑ Q(A + 1) at K(t + 3) ↑ Q(A + 2) at K(t + 3)

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 11

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 [3, 11] The write cycle description table for CY7C1576V18 follows. Write Cycle Descriptions BWS K K 0 L L–H – During the Data portion of a write sequence, the single byte (D ) is written into the device. [8:0] ) is written into the device. L – L–H During the Data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] H L–H – No data is written into the device during this portion of a write operation. H – L–H No data is written into the device dur

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 12

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Instruction Register IEEE 1149.1 Serial Boundary Scan (JTAG) Three-bit instructions can be serially loaded into the instruction These SRAMs incorporate a serial boundary scan Test Access register. This register is loaded when it is placed between the TDI Port (TAP) in the FBGA package. This part is fully compliant with and TDO pins, as shown in TAP Controller Block Diagram on IEEE Standard #1149.1-2001. The TAP operates using JEDEC page 15. Upon

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 13

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 IDCODE PRELOAD places an initial data pattern at the latched parallel outputs of the boundary scan register cells before the selection The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bit code into of another boundary scan test operation. the instruction register. It also places the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the The shifting of data for the SAMPLE and PRELOAD phases can device when the TAP co

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 14

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 [12] The state diagram for the TAP controller follows. TAP Controller State Diagram TEST-LOGIC 1 RESET 0 1 1 1 TEST-LOGIC/ SELECT SELECT 0 IDLE DR-SCAN IR-SCAN 0 0 1 1 CAPTURE-DR CAPTURE-IR 0 0 0 0 SHIFT-DR SHIFT-IR 1 1 1 1 EXIT1-DR EXIT1-IR 0 0 0 0 PAUSE-DR PAUSE-IR 1 1 0 0 EXIT2-DR EXIT2-IR 1 1 UPDATE-IR UPDATE-DR 1 1 0 0 Note 12. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK. Document Number: 001-05384 Rev.

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 15

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 TAP Controller Block Diagram 0 Bypass Register 2 1 0 Selection Selection TDI TDO Instruction Register Circuitry Circuitry 31 30 29 . . 2 1 0 Identification Register 108 . . . . 2 1 0 Boundary Scan Register TCK TAP Controller TMS TAP Electrical Characteristics [13, 14, 15] Over the Operating Range Parameter Description Test Conditions Min Max Unit V Output HIGH Voltage I = −2.0 mA 1.4 V OH1 OH Output HIGH Voltage I = −100 μA1.6 V V OH2 OH V Ou

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 16

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 TAP AC Switching Characteristics [16, 17] Over the Operating Range Parameter Description Min Max Unit t TCK Clock Cycle Time 50 ns TCYC t TCK Clock Frequency 20 MHz TF t TCK Clock HIGH 20 ns TH t TCK Clock LOW 20 ns TL Setup Times t TMS Setup to TCK Clock Rise 5 ns TMSS t TDI Setup to TCK Clock Rise 5 ns TDIS t Capture Setup to TCK Rise 5 ns CS Hold Times t TMS Hold after TCK Clock Rise 5 ns TMSH t TDI Hold after Clock Rise 5 ns TDIH t Capture

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 17

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Identification Register Definitions Value Instruction Field Description CY7C1561V18 CY7C1576V18 CY7C1563V18 CY7C1565V18 Revision Number 000 000 000 000 Version number. (31:29) Cypress Device ID 11010010001000100 11010010001001100 11010010001010100 11010010001100100 Defines the type of (28:12) SRAM. Cypress JEDEC ID 00000110100 00000110100 00000110100 00000110100 Allows unique (11:1) identification of SRAM vendor. ID Register 1111 Indicates th

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 18

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1J 1 6P29 9G 57 5B85 2J 2 6N 30 11F 58 5A 86 3K 3 7P 31 11G 59 4A 87 3J 4 7N32 9F 60 5C88 2K 5 7R 33 10F 61 4B 89 1K 6 8R 34 11E 62 3A 90 2L 7 8P 35 10E 63 2A 91 3L 8 9R 36 10D 64 1A 92 1M 9 11P 37 9E 65 2B 93 1L 10 10P 38 10C 66 3B 94 3N 11 10N 39 11D 67 1C 95 3M 12 9P 40 9C 68 1B 96 1N 13 10M 41 9D 69 3D 97 2M 14 11N 42 11B 70 3C 98 3P 15 9M 43 11C

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 19

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 DLL Constraints Power Up Sequence in QDR-II+ SRAM ■ DLL uses K clock as its synchronizing input. The input must QDR-II+ SRAMs must be powered up and initialized in a have low phase jitter, which is specified as t . KC Var predefined manner to prevent undefined operations. During Power Up, when the DOFF is tied HIGH, the DLL gets locked ■ The DLL functions at frequencies down to 120 MHz. after 2048 cycles of stable clock. ■ If the input clock is

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 20

CY7C1561V18, CY7C1576V18 CY7C1563V18, CY7C1565V18 Current into Outputs (LOW) ........................................ 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015)... >2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the Latch-up Current .................................................... >200 mA device. These user guidelines are not tested. Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with Power A


أدلة المستخدم البديلة
# دليل الاستخدام فئة تحميل
1 Cypress CapSense CY8C20x36 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
2 Cypress CY14B101L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
3 Cypress CY14B101LA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
4 Cypress CY14B104N دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
5 Cypress AutoStore STK14CA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
6 Cypress CY14B101Q2 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
7 Cypress CY14B104L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
8 Cypress CY2048WAF دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
9 Cypress CY14B108L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
10 Cypress 7C185-15 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
11 Cypress CY14B104NA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
12 Cypress CY14B104M دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
13 Cypress AutoStore STK17TA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
14 Cypress CY62158E دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
15 Cypress CY14B256L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
16 Sony MSAKIT-PC4A دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 2
17 Sony MRW62E-S1 2694866142 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 5
18 Philips MATCH LINE 9596 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 17
19 Sony 64GB SDHC Class 10 Memory Card Readers SF32UY دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1
20 Philips PSC702 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1