Cypress Perform CY7C1413BV18 دليل المستخدم

دليل المستخدم للجهاز Cypress Perform CY7C1413BV18

جهاز: Cypress Perform CY7C1413BV18
فئة: أجزاء الكمبيوتر
الصانع: Cypress
مقاس: 0.74 MB
مضاف: 10/17/2014
عدد الصفحات: 30
اطبع الدليل

تحميل

كيفية استخدام هذا الموقع؟

هدفنا هو أن نوفر لك وصولاً سريعًا إلى محتوى دليل المستخدم الخاص بـ Cypress Perform CY7C1413BV18. باستخدام المعاينة عبر الإنترنت ، يمكنك عرض المحتويات بسرعة والانتقال إلى الصفحة حيث ستجد الحل لمشكلتك مع Cypress Perform CY7C1413BV18.

لراحتك

إذا لم يكن البحث في دليل المستخدم Cypress Perform CY7C1413BV18 مباشرة على موقع الويب هذا مناسبًا لك ، فهناك حلان محتملان:

  • عرض ملء الشاشة - لعرض دليل المستخدم بسهولة (بدون تنزيله على جهاز الكمبيوتر الخاص بك) ، يمكنك استخدام وضع العرض بملء الشاشة. لبدء مشاهدة دليل المستخدم Cypress Perform CY7C1413BV18 بملء الشاشة ، استخدم الزر تكبير الشاشة.
  • التنزيل على جهاز الكمبيوتر الخاص بك - يمكنك أيضًا تنزيل دليل المستخدم Cypress Perform CY7C1413BV18 على جهاز الكمبيوتر لديك والاحتفاظ به في ملفاتك. ومع ذلك ، إذا كنت لا تريد أن تشغل مساحة كبيرة على القرص الخاص بك ، فيمكنك دائمًا تنزيله في المستقبل من ManualsBase.
Cypress Perform CY7C1413BV18 دليل الاستخدام - Online PDF
Advertisement
« Page 1 of 30 »
Advertisement
النسخة المطبوعة

يفضل العديد من الأشخاص قراءة المستندات ليس على الشاشة ، ولكن في النسخة المطبوعة. تم أيضًا توفير خيار طباعة الدليل ، ويمكنك استخدامه بالنقر فوق الارتباط أعلاه - اطبع الدليل. لا يتعين عليك طباعة الدليل بالكامل Cypress Perform CY7C1413BV18 ولكن الصفحات المحددة فقط. ورق.

الملخصات

ستجد أدناه معاينات لمحتوى أدلة المستخدم المقدمة في الصفحات التالية لـ Cypress Perform CY7C1413BV18. إذا كنت ترغب في عرض محتوى الصفحات الموجودة في الصفحات التالية من الدليل بسرعة ، فيمكنك استخدامها.

ملخصات المحتويات
ملخص المحتوى في الصفحة رقم 1

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18
CY7C1413BV18, CY7C1415BV18
36-Mbit QDR™-II SRAM 4-Word
Burst Architecture
Features Configurations
■ Separate independent read and write data ports CY7C1411BV18 – 4M x 8
❐ Supports concurrent transactions CY7C1426BV18 – 4M x 9
CY7C1413BV18 – 2M x 18
■ 300 MHz clock for high bandwidth
CY7C1415BV18 – 1M x 36
■ 4-word burst for reducing address bus frequency
Functional Description
■ Double Data Rate (DDR) interfaces on both read and write ports
(data transferred at 600 M

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 2

1M x 8 Array 1M x 9 Array 1M x 8 Array 1M x 9 Array 1M x 8 Array 1M x 9 Array 1M x 8 Array 1M x 9 Array CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Logic Block Diagram (CY7C1411BV18) 8 D [7:0] Write Write Write Write 20 Address A Reg Reg Reg Reg (20:0) Register 20 Address A (19:0) Register RPS K Control CLK K Logic Gen. C DOFF Read Data Reg. C CQ 32 V 16 REF 8 CQ Reg. Reg. Control WPS 8 Logic 8 8 16 NWS Q Reg. [1:0] [7:0] 8 Logic Block Diagram (CY7C1426BV18) 9 D [8:0] Write Write Write

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 3

512K x 18 Array 256K x 36 Array 512K x 18 Array 256K x 36 Array 512K x 18 Array 256K x 36 Array 512K x 18 Array 256K x 36 Array CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Logic Block Diagram (CY7C1413BV18) 18 D [17:0] Write Write Write Write 19 Address A Reg Reg Reg Reg (18:0) Register 19 Address A (18:0) Register RPS K Control CLK K Logic Gen. C DOFF Read Data Reg. C CQ 72 V 36 REF CQ 18 Reg. Reg. Control 18 WPS Logic 18 18 36 BWS Q Reg. [17:0] [1:0] 18 Logic Block Diagram (CY7C1415B

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 4

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Pin Configuration [1] The pin configuration for CY7C1411BV18, CY7C1426BV18, CY7C1413BV18, and CY7C1415BV18 follow. 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout CY7C1411BV18 (4M x 8) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 A CQ NC/72M A WPS NWS K NC/144M RPS AA CQ 1 B NC NC NC A NC/288M K NWS ANC NC Q3 0 C NC NC NC V ANC A V NC NC D3 SS SS D NC D4 NC V V V V V NC NC NC SS SS SS SS SS E NC NC Q4 V V V V V NC D2 Q2 DDQ SS SS SS DDQ F NC NC NC V V V V V NC NC NC D

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 5

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Pin Configuration (continued) [1] The pin configuration for CY7C1411BV18, CY7C1426BV18, CY7C1413BV18, and CY7C1415BV18 follow. 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout CY7C1413BV18 (2M x 18) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 A CQ NC/144M A WPS BWS K NC/288M RPS A NC/72M CQ 1 B NC Q9 D9 A NC K BWS ANC NC Q8 0 C NC NC D10 V ANC A V NC Q7 D8 SS SS D NC D11 Q10 V V V V V NC NC D7 SS SS SS SS SS E NC NC Q11 V V V V V NC D6 Q6 DDQ SS SS SS DDQ F NC Q12 D12

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 6

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Pin Definitions Pin Name IO Pin Description D Input- Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks when valid write operations are active. [x:0] Synchronous CY7C1411BV18 − D [7:0] CY7C1426BV18 − D [8:0] CY7C1413BV18 − D [17:0] CY7C1415BV18 − D [35:0] WPS Input- Write Port Select − Active LOW. Sampled on the rising edge of the K clock. When asserted active, a Synchronous write operation is initiated. Deasserting deselects

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 7

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Pin Definitions (continued) Pin Name IO Pin Description CQ Echo Clock CQ Referenced with Respect to C. This is a free running clock and is synchronized to the input clock for output data (C) of the QDR-II. In the single clock mode, CQ is generated with respect to K. The timings for the echo clocks are shown in the AC timing table. CQ Echo Clock CQ Referenced with Respect to C. This is a free running clock and is synchronized to the input c

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 8

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 rising edge of the output clocks (C and C, or K and K when in Functional Overview single clock mode). The CY7C1411BV18, CY7C1426BV18, CY7C1413BV18 and When the read port is deselected, the CY7C1413BV18 first CY7C1415BV18 are synchronous pipelined burst SRAMs with a completes the pending read transactions. Synchronous internal read port and a write port. The read port is dedicated to read circuitry automatically tri-states the outputs followi

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 9

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 includes forwarding data from a write cycle that was initiated on of ±15% is between 175Ω and 350Ω, with V =1.5V. The DDQ the previous K clock rise. output impedance is adjusted every 1024 cycles upon power up to account for drifts in supply voltage and temperature. Read accesses and write access must be scheduled such that one transaction is initiated on any clock cycle. If both ports are Echo Clocks selected on the same K clock rise, the ar

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 10

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Truth Table [2, 3, 4, 5, 6, 7] The truth table for CY7C1411BV18, CY7C1426BV18, CY7C1413BV18, and CY7C1415BV18 follows. Operation K RPS WPS DQ DQ DQ DQ [8] [9] Write Cycle: L-H H L D(A) at K(t + 1)↑ D(A + 1) at K(t + 1)↑ D(A + 2) at K(t + 2)↑ D(A + 3) at K(t + 2)↑ Load address on the rising edge of K; input write data on two consecutive K and K rising edges. [9] Read Cycle: XQ(A) at C(t + 1)↑ Q(A + 1) at C(t + 2)↑ Q(A + 2) at C(t + 2)↑ Q(A

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 11

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Write Cycle Descriptions [2, 10] The write cycle description table for CY7C1426BV18 follows. BWS K K Comments 0 L L–H – During the Data portion of a write sequence, the single byte (D ) is written into the device. [8:0] ) is written into the device. L – L–H During the Data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] H L–H – No data is written into the device during this portion of a write operation. H – L–H No data is written into

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 12

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Instruction Register IEEE 1149.1 Serial Boundary Scan (JTAG) Three-bit instructions can be serially loaded into the instruction These SRAMs incorporate a serial boundary scan Test Access register. This register is loaded when it is placed between the TDI Port (TAP) in the FBGA package. This part is fully compliant with and TDO pins, as shown in TAP Controller Block Diagram on IEEE Standard #1149.1-2001. The TAP operates using JEDEC page 15. U

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 13

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 IDCODE PRELOAD places an initial data pattern at the latched parallel outputs of the boundary scan register cells before the selection The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bit code into of another boundary scan test operation. the instruction register. It also places the instruction register between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the The shifting of data for the SAMPLE and PRELOAD phases can device when the TA

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 14

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 TAP Controller State Diagram [11] The state diagram for the TAP controller follows. TEST-LOGIC 1 RESET 0 1 1 1 TEST-LOGIC/ SELECT SELECT 0 IDLE DR-SCAN IR-SCAN 0 0 1 1 CAPTURE-DR CAPTURE-IR 0 0 0 0 SHIFT-DR SHIFT-IR 1 1 1 1 EXIT1-DR EXIT1-IR 0 0 0 0 PAUSE-DR PAUSE-IR 1 1 0 0 EXIT2-DR EXIT2-IR 1 1 UPDATE-IR UPDATE-DR 1 1 0 0 Note 11. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK. Document Number: 001-07037 R

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 15

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 TAP Controller Block Diagram 0 Bypass Register 2 1 0 Selection Selection TDI TDO Instruction Register Circuitry Circuitry 31 30 29 . . 2 1 0 Identification Register . 108 . . . 2 1 0 Boundary Scan Register TCK TAP Controller TMS TAP Electrical Characteristics [12, 13, 14] Over the Operating Range Parameter Description Test Conditions Min Max Unit V Output HIGH Voltage I = −2.0 mA 1.4 V OH1 OH Output HIGH Voltage I = −100 μA1.6 V V OH2 OH

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 16

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 TAP AC Switching Characteristics [15, 16] Over the Operating Range Parameter Description Min Max Unit t TCK Clock Cycle Time 50 ns TCYC t TCK Clock Frequency 20 MHz TF t TCK Clock HIGH 20 ns TH t TCK Clock LOW 20 ns TL Setup Times t TMS Setup to TCK Clock Rise 5 ns TMSS t TDI Setup to TCK Clock Rise 5 ns TDIS t Capture Setup to TCK Rise 5 ns CS Hold Times t TMS Hold after TCK Clock Rise 5 ns TMSH t TDI Hold after Clock Rise 5 ns TDIH t Capt

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 17

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Identification Register Definitions Value Instruction Field Description CY7C1411BV18 CY7C1426BV18 CY7C1413BV18 CY7C1415BV18 Revision Number 000 000 000 000 Version number. (31:29) Cypress Device ID 11010011011000111 11010011011001111 11010011011010111 11010011011100111 Defines the type of (28:12) SRAM. Cypress JEDEC ID 00000110100 00000110100 00000110100 00000110100 Allows unique (11:1) identification of SRAM vendor. ID Register 1111 Indi

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 18

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1J 1 6P29 9G 57 5B85 2J 2 6N 30 11F 58 5A 86 3K 3 7P 31 11G 59 4A 87 3J 4 7N32 9F 60 5C88 2K 5 7R 33 10F 61 4B 89 1K 6 8R 34 11E 62 3A 90 2L 7 8P 35 10E 63 2A 91 3L 8 9R 36 10D 64 1A 92 1M 9 11P 37 9E 65 2B 93 1L 10 10P 38 10C 66 3B 94 3N 11 10N 39 11D 67 1C 95 3M 12 9P 40 9C 68 1B 96 1N 13 10M 41 9D 69 3D 97 2M 14 11N 42 11B 70 3C 98 3P 15 9M 43

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 19

~ ~ CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 DLL Constraints Power Up Sequence in QDR-II SRAM ■ DLL uses K clock as its synchronizing input. The input must QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a have low phase jitter, which is specified as t . KC Var predefined manner to prevent undefined operations. ■ The DLL functions at frequencies down to 120 MHz. Power Up Sequence ■ If the input clock is unstable and the DLL is enabled, then the ■ Apply power and drive DOFF eith

ملخص المحتوى في الصفحة رقم 20

CY7C1411BV18, CY7C1426BV18 CY7C1413BV18, CY7C1415BV18 Current into Outputs (LOW) ........................................ 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015).. > 2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the Latch-up Current ................................................... > 200 mA device. These user guidelines are not tested. Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with Pow


أدلة المستخدم البديلة
# دليل الاستخدام فئة تحميل
1 Cypress CapSense CY8C20x36 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
2 Cypress CY14B101L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
3 Cypress CY14B101LA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
4 Cypress CY14B104N دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
5 Cypress AutoStore STK14CA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
6 Cypress CY14B101Q2 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
7 Cypress CY14B104L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
8 Cypress CY2048WAF دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
9 Cypress CY14B108L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
10 Cypress 7C185-15 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
11 Cypress CY14B104NA دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
12 Cypress CY14B104M دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
13 Cypress AutoStore STK17TA8 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
14 Cypress CY62158E دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
15 Cypress CY14B256L دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 0
16 Sony MSAKIT-PC4A دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 2
17 Sony MRW62E-S1 2694866142 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 5
18 Philips MATCH LINE 9596 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 17
19 Sony 64GB SDHC Class 10 Memory Card Readers SF32UY دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1
20 Philips PSC702 دليل الاستخدام أجزاء الكمبيوتر 1