Manual de instrucciones de Panasonic Transistors 2SC3931

Manual de instrucciones del aparato Panasonic Transistors 2SC3931

Aparato: Panasonic Transistors 2SC3931
Categoría: Tarjeta de red
Fabricante: Panasonic
Tamaño: 0.24 MB
Fecha de añadido: 10/27/2013
Número de páginas: 4
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Panasonic Transistors 2SC3931 Manual de instrucciones - Online PDF
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Panasonic Transistors 2SC3931. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Transistors
2SC3931
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification Unit: mm
+0.10
+0.1
0.3 0.15
–0.05
–0.0
3
■ Features
• Optimum for RF amplification of FM/AM radios
• High transition frequency f
T
• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
1 2
automatic insertion through the tape packing
(0.65) (0.65)
1.3±0.1
2.0±0.2
■ Absolute Maximum Ratings T = 25°C
a
10˚
Parameter Symbol Rating Unit
Col

Resumen del contenido incluido en la página 2

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). 2SC3931 P  T I  V I  I C a C CE C B 200 12 12 T = 25°C a V = 6 V CE T = 25°C a I = 100 µA B 10 10 160 80 µA 8 8 120 60 µA 6 6 80 40 µA 4 4 20 µA 40 2 2 0 0 0 01 6128 0 40 80 120 160 0 60 120 180 ( ) ( ) Collector-emitter voltage V V Ambient temperature T °C Base current I (µA) CE a B I  V V  I h  I C BE CE(sat) C FE C 100 360 30 I / I = 10 C B V = 6 V V = 6 V CE CE 25°C 300 25 10 T = 75°C a −25°C 240 20 T = 75°C a 1 180 1

Resumen del contenido incluido en la página 3

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). 2SC3931 C  V G  I NF  I ob CB P E E 1.2 40 12 I = 0 f = 100 MHz E f = 100 MHz f = 1 MHz R = 50 kΩ R = 50 Ω g g T = 25°C T = 25°C a T = 25°C a a 1.0 10 30 V = 10 V CE 0.8 8 6 V 0.6 20 6 V = 6 V, 10 V 0.4 4 CE 10 0.2 2 0 0 0 − 0.1 −1 −10 −100 − 0.1 −1 −10 −100 03 51 105 20 250 ( ) Collector-base voltage V (V) Emitter current I mA Emitter current I (mA) CB E E b  g b  g b  g ie ie re re fe fe 0 0 20 y = g + jb 10.7 ie ie ie

Resumen del contenido incluido en la página 4

Request for your special attention and precautions in using the technical information and semiconductors described in this book (1) If any of the products or technical information described in this book is to be exported or provided to non-residents, the laws and regulations of the exporting country, especially, those with regard to security export control, must be observed. (2) The technical information described in this book is intended only to show the main characteristics and application


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