Manual de instrucciones de Philips BGD906MI

Manual de instrucciones del aparato Philips BGD906MI

Aparato: Philips BGD906MI
Categoría: Amplificador estéreo
Fabricante: Philips
Tamaño: 0.08 MB
Fecha de añadido: 1/29/2014
Número de páginas: 12
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Philips BGD906MI. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D252
BGD906; BGD906MI
860 MHz, 21.5 dB gain power
doubler amplifier
Product specification 2001 Nov 01
Supersedes data of 2000 Mar 28

Resumen del contenido incluido en la página 2

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI FEATURES PINNING - SOT115J • Excellent linearity DESCRIPTION PIN • Extremely low noise BGD906 BGD906MI • Excellent return loss properties 1 input output • Silicon nitride passivation 2, 3 common common • Rugged construction 5+V +V B B • Gold metallization ensures excellent reliability. 7, 8 common common 9 output input APPLICATIONS • CATV systems operating in the 40 to 900 MHz handbook, half

Resumen del contenido incluido en la página 3

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI CHARACTERISTICS Bandwidth 40 to 900 MHz; V = 24 V; T =35 °C; Z =Z =75 Ω B mb S L SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT G power gain f = 50 MHz 21.2 21.5 21.8 dB p f = 900 MHz 22 22.5 23 dB SL slope straight line f = 40 to 900 MHz 0.5 1 1.5 dB FL flatness straight line f = 40 to 900 MHz --± 0.35 dB s input return losses f = 40 to 80 MHz 22 25 - dB 11 f = 80 to 160 MHz 21 24 - dB f =

Resumen del contenido incluido en la página 4

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT CSO composite second 49 chs flat; V = 47 dBmV; f = 860.5 MHz -- 63 - 59 dB o m order distortion 77 chs flat; V = 44 dBmV; f = 548.5 MHz -- 74 - 65 dB o m 110 chs flat; V = 44 dBmV; f = 746.5 MHz-- 66 - 58 dB o m 129 chs flat; V = 44 dBmV; f = 860.5 MHz-- 59 - 54 dB o m 110 chs; f = 150 MHz; -- 64 - 60 dB m V = 49 dBmV at 550 MHz; note 1 o 129 chs;

Resumen del contenido incluido en la página 5

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI MGS661 MGS662 - 50 52 - 50 52 handbook, halfpage handbook, halfpage V X V CTB o mod o (dB) (1) (dBmV) (dB) (dBmV) (2) (2) (1) (3) (2) - 60 48 - 60 48 (4) (3) (3) (2) (4) (4) (3) (4) - 70 44 - 70 44 (1) (1) - 80 40 - 80 40 36 36 - 90 - 90 0 200 400 600 800 0 200 400 600 800 f (MHz) f (MHz) Z =Z =75 Ω; V = 24 V; 110 chs; tilt = 9 dB (50 to 550 MHz); Z =Z =75 Ω; V = 24 V; 110 chs; tilt = 9 dB (

Resumen del contenido incluido en la página 6

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI MGS664 MGS665 - 50 52 - 50 52 handbook, halfpage handbook, halfpage (2) V X V CTB mod o o (1) (dB) (dBmV) (dB) (3) (dBmV) (2) (4) (3) - 60 48 - 60 48 (4) (1) - 70 44 - 70 44 - 80 40 - 80 40 36 36 - 90 - 90 0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000 f (MHz) f (MHz) Z =Z =75 Ω; V = 24 V; 129 chs; Z =Z =75 Ω; V = 24 V; 129 chs; S L B S L B tilt = 12.5 dB (50 to 860 MHz). tilt = 12.5 dB (50 t

Resumen del contenido incluido en la página 7

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI MGS667 MGS668 - 20 - 20 handbook, halfpage handbook, halfpage CTB CSO (dB) (dB) - 30 - 30 - 40 - 40 - 50 - 50 (1) (2) (1) - 60 - 60 (2) (3) (3) - 70 - 70 40 45 50 55 40 45 50 55 V (dBmV) V (dBmV) o o Z =Z =75 Ω; V = 24 V; 129 chs; f = 859.25 MHz. Z =Z =75 Ω; V = 24 V; 129 chs; f = 860.5 MHz. S L B m S L B m (1) Typ. +3 σ. (1) Typ. +3 σ. (2) Typ. (2) Typ. (3) Typ. - 3 σ. (3) Typ. - 3 σ. Fig.

Resumen del contenido incluido en la página 8

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI PACKAGE OUTLINE Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes; 2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads SOT115J D E Z p A 2 1 23 5 78 9 A L F S W e b w M c e 1 d q y M B U 2 Q 2 B q y M B 1 y M B p U q 1 0 5 10 mm scale DIMENSIONS (mm are the original dimensions) U A d A D E L Q Z 2 1 UNITbF c eep q q q S U W w y 1 1 2 2

Resumen del contenido incluido en la página 9

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI DATA SHEET STATUS PRODUCT (1) DATA SHEET STATUS DEFINITIONS (2) STATUS Objective data Development This data sheet contains data from the objective specification for product development. Philips Semiconductors reserves the right to change the specification in any manner without notice. Preliminary data Qualification This data sheet contains data from the preliminary specification. Supplementary d

Resumen del contenido incluido en la página 10

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI NOTES 2001 Nov 01 10

Resumen del contenido incluido en la página 11

Philips Semiconductors Product specification 860 MHz, 21.5 dB gain power doubler amplifier BGD906; BGD906MI NOTES 2001 Nov 01 11

Resumen del contenido incluido en la página 12

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