Manual de instrucciones de Cypress Perform CY62147EV30

Manual de instrucciones del aparato Cypress Perform CY62147EV30

Aparato: Cypress Perform CY62147EV30
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.4 MB
Fecha de añadido: 10/17/2014
Número de páginas: 13
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress Perform CY62147EV30. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1

®

CY62147EV30 MoBL
4-Mbit (256K x 16) Static RAM
®
ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in portable appli-
Features
cations such as cellular telephones. The device also has an
automatic power down feature that significantly reduces power
■ Very high speed: 45 ns
consumption when addresses are not toggling. Placing the
■ Temperature ranges
device into standby mode reduces power consumption by more
❐ Industrial: –40°C to +85°C
than 99% when deselected (CE HIGH or both BLE and BHE are

Resumen del contenido incluido en la página 2

® CY62147EV30 MoBL Product Portfolio Power Dissipation Speed Product Range V Range (V) Operating I (mA) CC CC (ns) Standby I ( μA) SB2 f = 1 MHz f = f max [2] [2] [2] [2] Min Typ Max Typ Max Typ Max Typ Max CY62147EV30LL Ind’l/Auto-A 2.2 3.0 3.6 45 ns 2 2.5 15 20 1 7 Auto-E 2.2 3.0 3.6 55 ns 2 3 15 25 1 20 Pin Configuration [3, 4] [3, 4] Figure 1. 48-Ball VFBGA (Single Chip Enable) Figure 2. 48-Ball VFBGA (Dual Chip Enable) 126 3 4 5 126 3 4 5 A A A CE A BLE OE 0 1 2 2 A A A NC A BLE OE 0

Resumen del contenido incluido en la página 3

® CY62147EV30 MoBL [5, 6] DC Input Voltage ............ –0.3V to 3.9V (V + 0.3V) Maximum Ratings CCmax Output Current into Outputs (LOW) ............................20 mA Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of the Static Discharge Voltage .......................................... >2001V device. User guidelines are not tested. (MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature ................................ –65°C to + 150°C Latch Up Current ................................

Resumen del contenido incluido en la página 4

® CY62147EV30 MoBL [9] Thermal Resistance VFBGA TSOP II Parameter Description Test Conditions Unit Package Package Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, two-layer 75 77 °C/W JA (Junction to Ambient) printed circuit board Θ Thermal Resistance 10 13 °C/W JC (Junction to Case) Figure 4. AC Test Load and Waveforms R1 ALL INPUT PULSES V CC V CC 90% OUTPUT 90% 10% 10% GND R2 30 pF Rise Time = 1 V/ns Fall Time = 1 V/ns INCLUDING JIG AND SCOPE Equivalent to: THEVENIN EQUIVALE

Resumen del contenido incluido en la página 5

® CY62147EV30 MoBL Switching Characteristics [12, 13] Over the Operating Range 45 ns (Ind’l/Auto-A) 55 ns (Auto-E) Parameter Description Unit Min Max Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 45 55 ns RC t Address to Data Valid 45 55 ns AA t Data Hold from Address Change 10 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 45 55 ns ACE t OE LOW to Data Valid 22 25 ns DOE [14] t OE LOW to LOW Z 55 ns LZOE [14, 15] t OE HIGH to High Z 18 20 ns HZOE [14] t CE LOW to Low Z 10 10 ns LZCE [14, 15] t CE HIGH to High Z 1

Resumen del contenido incluido en la página 6

® CY62147EV30 MoBL Switching Waveforms [17, 18] Figure 6. Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled) t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [1, 18, 19] Figure 7. Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t PD t t HZCE ACE OE t HZOE t DOE t LZOE BHE/BLE t HZBE t DBE t LZBE HIGH IMPEDANCE HIGHI MPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PU I CC V 50% 50% CC I SUPPLY SB CURRENT Notes 17. The device is continuously selected. OE, CE = V , BHE, BLE, or both = V .

Resumen del contenido incluido en la página 7

® CY62147EV30 MoBL Switching Waveforms (continued) [1, 16, 20, 21] Figure 8. Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t HD t SD NOTE 22 DATA DATA IO IN t HZOE [1, 16, 20, 21] Figure 9. Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t t SD HD DATA DATA IO NOTE 22 IN t HZOE Document #: 38-05440 Rev. *G Page 7 of 13 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 8

® CY62147EV30 MoBL Switching Waveforms (continued) [1, 21] Figure 10. Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t HD t SD DATA IO NOTE 22 DATA IN t LZWE t HZWE [1, 21] Figure 11. Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t HZWE t HD t SD NOTE 22 DATA DATA IO IN t LZWE Notes 20. Data I/O is high impedance if OE = V . IH 21. If CE goes HIGH simultaneously with WE = V ,

Resumen del contenido incluido en la página 9

® CY62147EV30 MoBL Truth Table [1] IOs Mode Power CE WE OE BHE BLE H X X X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L X X H H High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L H L L L Data Out (IO –IO ) Read Active (I ) 0 15 CC L H L H L Data Out (IO –IO ); Read Active (I ) 0 7 CC IO –IO in High Z 8 15 L H L L H Data Out (IO –IO ); Read Active (I ) 8 15 CC IO –IO in High Z 0 7 L H H L L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H H L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H L H High Z Out

Resumen del contenido incluido en la página 10

® CY62147EV30 MoBL Package Diagrams Figure 12. 48-Ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A B 0.75 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) SEATING PLANE C 51-85150-*D Document #: 38-05440 Rev. *G Page 10 of 13 [+] Feedback 0.25 C 8.00±0.10 0.55 MAX. 0.26 MAX. 0.21±0.05 1.00 MAX 0.10 C 8.00±0.10 5.25 0.75 2.625

Resumen del contenido incluido en la página 11

® CY62147EV30 MoBL Package Diagrams (continued) Figure 13. 44-Pin TSOP II, 51-85087 51-85087-*A Document #: 38-05440 Rev. *G Page 11 of 13 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 12

® CY62147EV30 MoBL Document History Page ® Document Title: CY62147EV30 MoBL 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Document Number: 38-05440 Orig. of Submission Rev. ECN No. Description of Change Change Date ** 201861 AJU 01/13/04 New Data Sheet *A 247009 SYT See ECN Changed from Advanced Information to Preliminary Moved Product Portfolio to Page 2 Changed Vcc stabilization time in footnote #8 from 100 μs to 200 μs Removed Footnote #15(t ) from Previous Revision LZBE Changed I from 2.0 μA to 2.5 μA C

Resumen del contenido incluido en la página 13

® CY62147EV30 MoBL Sales, Solutions, and Legal Information Worldwide Sales and Design Support Cypress maintains a worldwide network of offices, solution centers, manufacturer’s representatives, and distributors. To find the office closest to you, visit us at cypress.com/sales. Products PSoC Solutions PSoC psoc.cypress.com General psoc.cypress.com/solutions Clocks & Buffers clocks.cypress.com Low Power/Low Voltage psoc.cypress.com/low-power Wireless wireless.cypress.com Precision Analog psoc.c


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