Instruction d'utilisation Philips TDA8543

Instruction d'utilisation pour le dispositif Philips TDA8543

Dispositif: Philips TDA8543
Catégorie: Amplificateur stéréo
Fabricant: Philips
Dimension: 0.16 MB
Date d'addition: 6/16/2013
Nombre des pages: 20
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Résumés

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Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

INTEGRATED CIRCUITS
DATA SHEET
TDA8543
2 W BTL audio amplifier
1997 Jun 12
Product specification
File under Integrated Circuits, IC01

Résumé du contenu de la page N° 2

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Flexibility in use The TDA8543(T) is a one channel audio power amplifier for an output power of 2 W with an 8 Ω load at a 7.5 V • Few external components supply. The circuit contains a BTL amplifier with • Low saturation voltage of output stage a complementary PNP-NPN output stage and • Gain can be fixed with external resistors standby/mute logic. The TDA8543T comes in a 16 pin SO package an

Résumé du contenu de la page N° 3

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 BLOCK DIAGRAM handbook, halfpage TDA8543 - 11 6 OUT- IN- - 5 IN+ + R 12 V R CC - 20 kΩ 14 - OUT+ + 4 SVR 20 kΩ 3 MODE STANDBY/MUTE LOGIC 13 GND MGK402 Fig.1 Block diagram. PINNING SYMBOL PIN DESCRIPTION n.c. 1 not connected n.c. 2 not connected handbook, halfpage MODE 3 operating mode select n.c. 1 16 n.c. (standby, mute, operating) n.c. 2 15 n.c SVR 4 half supply voltage, decoupling ripple rejection MODE 3 14 OUT+ IN+ 5

Résumé du contenu de la page N° 4

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 FUNCTIONAL DESCRIPTION The voltage loss on the positive supply line is the saturation voltage of a PNP power transistor, The TDA8543(T) is a BTL audio power amplifier capable on the negative side the saturation voltage of an of delivering an output power between 1 and 2 W, NPN power transistor. depending on supply voltage, load resistance and package. Using the MODE pin the device can Mode select pin be switched to standb

Résumé du contenu de la page N° 5

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 MGK410 2.5 handbook, halfpage P (W) 2.0 1.5 (1) 1 (2) 0.5 0 0 40 80 120 160 T (°C) amb (1) DIP16. (2) SO16. Fig.3 Power derating curve. Table 1 CONTINUOUS SINE WAVE DRIVEN (1) V (V) R (Ω)P (W) T (°C) CC L o amb(max) P (W) max SO16 DIP16 5 8 1.2 0.7 80 112 7.5 8 2.2 1.6 - 62 7.5 16 1.4 0.9 60 100 9 16 2.0 1.3 - 78 9 25 1.3 0.9 60 100 Note 1. At THD = 10%; BTL. 1997 Jun 12 5

Résumé du contenu de la page N° 6

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 DC CHARACTERISTICS V =5V; T =25 °C; R =8 Ω; V = 0 V; G = 20 dB; measured in test circuit Fig.4; unless otherwise specified. CC amb L MODE SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT V supply voltage operating 2.2 5 18 V CC I quiescent current R = ∞; note 1 - 812 mA q L I standby current V =V -- 10 μA stb MODE CC V DC output voltage note 2 - 2.2 - V O ⎪V - V ⎪ differential output voltage offset -- 50 mV OUT+ OUT- I , I

Résumé du contenu de la page N° 7

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 Notes to the AC characteristics R2 1. Gain of the amplifier is 2 × in test circuit of Fig.4. ------- - R1 2. The noise output voltage is measured at the output in a frequency range from 20 Hz to 20 kHz (unweighted), with a source impedance of R =0 Ω at the input. S 3. Supply voltage ripple rejection is measured at the output, with a source impedance of R =0 Ω at the input. S The ripple voltage is a sine wave with a freque

Résumé du contenu de la page N° 8

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 BTL APPLICATION handbook, full pagewidth V CC R2 56 kΩ 100 nF 100 μF 12 C1 R1 - IN 6 OUT- 11 11 kΩ 1 μF + IN 5 R V TDA8543 L SVR in 4 + OUT 14 C2 MODE 3 47 μF 13 GND MGK403 R2 Gain = 2 × ------- - R1 Fig.4 BTL application. MGD876 MGK404 10 15 handbook, halfpage handbook, halfpage I q THD (mA) (%) (1) (3) (2) 10 1 - 1 5 10 - 2 0 10 - 2 - 1 042 812 160 10 10 1 10 P (W) V (V) o CC f = 1 kHz, G =20dB. v (1) V = 5 V, R =8 Ω.

Résumé du contenu de la page N° 9

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 MGD879 MGK409 10 - 20 handbook, halfpage handbook, halfpage SVRR THD (dB) (%) - 40 1 (1) (1) (3) (2) (2) - 1 10 - 60 (3) - 2 - 80 10 2 3 4 5 2 3 4 5 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 f (Hz) f (Hz) P = 0.5 W, G = 20 dB. o v V = 5 V, 8 Ω, R =0 Ω, V = 100 mV. CC s r (1) V = 5 V, R =8 Ω. CC L (1) G =30dB. v (2) V = 7.5 V, R =8 Ω. CC L (2) G =20dB. v (3) V = 9 V, R =16 Ω. CC L (3) G = 6 dB. v Fig.7 THD as a function of frequency.

Résumé du contenu de la page N° 10

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 MGK407 MGD883 2 10 handbook, halfpage handbook, halfpage V o P (V) (W) (3) 1 1.6 - 1 10 (1) 1.2 - 2 10 (1) (2) (3) - 3 10 (2) 0.8 - 4 10 0.4 - 5 10 - 6 0 10 - 1 2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 10 1 10 10 V (V) P (W) ms o Sine wave of 1 kHz. Band-pass = 22 Hz to 22 kHz. (1) V = 9 V, R =16 Ω. CC L (1) V =3V. CC (2) V = 5 V, R =8 Ω. CC L (2) V =5V. CC (3) V = 7.5 V, R =8 Ω. CC L (3) V =12V. CC Fig.11 P as a function of P . Fig.12 V as

Résumé du contenu de la page N° 11

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 SE APPLICATION handbook, full pagewidth V CC R2 110 kΩ 100 nF 100 μF 12 C1 R1 IN- 6 C3 11 kΩ 1 μF - IN+ OUT 5 11 V TDA8543 SVR in 470 μF R 4 L MODE OUT+ C2 14 3 47 μF 13 GND MGK408 R2 Gain = ------- - R1 Fig.14 SE application. MGD885 MGD884 10 10 handbook, halfpage handbook, halfpage THD THD (%) (%) 1 1 (1) (1) (2) - 1 - 1 (3) 10 10 (2) (3) - 2 - 2 10 10 - 2 - 1 2 3 4 5 10 10 1 10 10 10 10 10 10 P (W) f (Hz) o f = 1 kHz

Résumé du contenu de la page N° 12

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 MGD886 MGD887 - 20 2 handbook, halfpage handbook, halfpage P o (W) SVRR (dB) 1.6 - 40 (3) (1) (2) 1.2 (1) 0.8 (2) - 60 (3) 0.4 - 80 0 2 3 4 5 10 10 10 10 10 04 8 12 16 f (Hz) V (V) CC V = 7.5 V, R =4 Ω, R =0 Ω, V = 100mV. CC L s i (1) G =24dB. v (1) THD = 10%, R =4 Ω. L (2) G =20dB. (2) THD = 10%, R =8 Ω. v L (3) G = 0 dB. v (3) THD = 10%, R =16 Ω. L Fig.17 SVRR as a function of frequency. Fig.18 P as a function of V .

Résumé du contenu de la page N° 13

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 handbook, full pagewidth a. Top view. 10 kΩ MS 10 kΩ 16 1 TDA8543 IN 1 μF 11 kΩ + OUT 8 9 56 kΩ - OUT 47 μF 100 nF 100 μF + V P MGK411 b. Component side. Fig.21 Printed-circuit board layout (BTL and SE). 1997 Jun 12 13

Résumé du contenu de la page N° 14

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 PACKAGE OUTLINES DIP16: plastic dual in-line package; 16 leads (300 mil); long body SOT38-1 D M E A 2 A A 1 L c e w M Z b 1 (e ) 1 b 16 9 M H pin 1 index E 1 8 0 5 10 mm scale DIMENSIONS (inch dimensions are derived from the original mm dimensions) (1) A A A (1) (1) 1 2 Z w UNIT b bcE D e eL MM 1 1 E H max. min. max. max. 1.40 0.53 0.32 21.8 6.48 3.9 8.25 9.5 mm 4.7 0.51 3.7 2.54 7.62 0.254 2.2 1.14 0.38 0.23 21.4 6.20

Résumé du contenu de la page N° 15

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 SO16: plastic small outline package; 16 leads; body width 3.9 mm SOT109-1 D E A X c y H v M A E Z 16 9 Q A 2 A (A ) 3 A 1 pin 1 index θ L p L 1 8 e detail X w M b p 0 2.5 5 mm scale DIMENSIONS (inch dimensions are derived from the original mm dimensions) A (1) (1) (1) UNIT A A A b cD E eH LLQZvwyθ 1 2 3 p E p max. 0.25 1.45 0.49 0.25 10.0 4.0 6.2 1.0 0.7 0.7 mm 1.75 0.25 1.27 1.05 0.25 0.25 0.1 o 0.10 1.25 0.36 0.19 9.8

Résumé du contenu de la page N° 16

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 SOLDERING to the printed-circuit board by screen printing, stencilling or pressure-syringe dispensing before package placement. Introduction Several techniques exist for reflowing; for example, There is no soldering method that is ideal for all IC thermal conduction by heated belt. Dwell times vary packages. Wave soldering is often preferred when between 50 and 300 seconds depending on heating through-hole and surface mou

Résumé du contenu de la page N° 17

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 DEFINITIONS Data sheet status Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development. Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later. Product specification This data sheet contains final product specifications. Limiting values Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). S

Résumé du contenu de la page N° 18

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 NOTES 1997 Jun 12 18

Résumé du contenu de la page N° 19

Philips Semiconductors Product specification 2 W BTL audio amplifier TDA8543 NOTES 1997 Jun 12 19

Résumé du contenu de la page N° 20

Philips Semiconductors – a worldwide company Argentina: see South America Netherlands: Postbus 90050, 5600 PB EINDHOVEN, Bldg. VB, Tel. +31 40 27 82785, Fax. +31 40 27 88399 Australia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113, Tel. +61 2 9805 4455, Fax. +61 2 9805 4466 New Zealand: 2 Wagener Place, C.P.O. Box 1041, AUCKLAND, Tel. +64 9 849 4160, Fax. +64 9 849 7811 Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213, Tel. +43 1 60 101, Fax. +43 1 60 101 1210 Norway: Box 1, Manglerud 0612, OSLO, Tel


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16 Sony SA-VE312 Manuel d'utilisation Amplificateur stéréo 9
17 Sony MONAURAL Manuel d'utilisation Amplificateur stéréo 1
18 Sony 4-151-113-11 (1) Manuel d'utilisation Amplificateur stéréo 0
19 Sony 645-139 Manuel d'utilisation Amplificateur stéréo 3
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