NXP Semiconductors SiGeC BFU725Fの取扱説明書

デバイス: NXP Semiconductors SiGeC BFU725F

カテゴリ: 電子レンジ

メーカー: NXP Semiconductors

サイズ: 0.18 MB

追加した日付: 9/28/2013

ページ数: 2

使い方は？

私たちの目的は、皆様方にデバイスNXP Semiconductors SiGeC BFU725Fの取扱説明書に含まれたコンテンツを可能な限り早く提供することです。オンラインプレビューを使用すると、NXP Semiconductors SiGeC BFU725Fに関してあなたが抱えている問題に対する解決策の内容が素早く表示されます。

便宜上

説明書NXP Semiconductors SiGeC BFU725Fをこちらのサイトで閲覧するのに不都合がある場合は、2つの解決策があります：

フルスクリーン表示 – 説明書を（お使いのコンピュータにダウンロードすることなく）便利に表示させるには、フルスクリーン表示モードをご使用ください。説明書NXP Semiconductors SiGeC BFU725Fのフルスクリーン表示を起動するには、全画面表示ボタンを押してください。
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NXP Semiconductors SiGeC BFU725F 取扱説明書 - Online PDF

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印刷版

多くの人々は画面表示ではなく印刷された説明書を読むほうを好みます。説明書を印刷するオプションも提供されており、上記のリンクをクリックすることによりそれを利用できます - 説明書を印刷。説明書NXP Semiconductors SiGeC BFU725Fを全部印刷する必要はなく、選択したページだけを印刷できます。紙を節約しましょう。

要旨

次のページにある説明書NXP Semiconductors SiGeC BFU725Fの内容のプレビューは、以下にあります。次のページにある説明書の内容をすぐに表示したい場合は、こちらをご利用ください。

内容要旨

ページ1に含まれる内容の要旨

SiGeC microwave NPN
transistor BFU725F
A perfect match up to 20 GHz
Meet the trend towards higher frequencies. With NXP Semiconductors’ latest SiGeC microwave
NPN transistor BFU725F, you get high switching frequencies plus extremely high gain and low noise.
All this in an easy-to-use SOT343F package. It’s the ideal solution for applications up to 20 GHz.
Key features
Ñ Very low noise (0.4 dB at 1.8 GHz / 0.67 dB at 5.8 GHz) The NPN microwave transistor BFU725F delivers an unbeatable
Ñ Hig

ページ2に含まれる内容の要旨

Parameter Symbol Conditions Value Collector-emitter breakdown BV I = 1 mA; I = 0 3.2 V CEO C B voltage Maximum collector current I 40 mA C(max) Transition frequency f V = 2 V; I = 25 mA; f = 2 GHz 68 GHz T CE C V = 2 V; I = 5 mA; f = 1.8 GHz; Γ = Γ 0.4 dB CE C s opt V = 2 V; I = 5 mA; f = 2.4 GHz; Γ = Γ 0.45 dB CE C s opt Noise figure NF V = 2 V; I = 5 mA; f = 5.8 GHz; Γ = Γ 0.7 dB CE C s opt V = 2 V; I = 5 mA; f = 12 GHz; Γ = Γ 1.0 dB CE C s opt V = 2 V; I = 25 mA; f = 1.8 GHz 26.6 dB CE C

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