Instrukcja obsługi Cypress CY7C1414JV18

Instrukcja obsługi dla urządzenia Cypress CY7C1414JV18

Urządzenie: Cypress CY7C1414JV18
Kategoria: Sprzet komputerowy
Producent: Cypress
Rozmiar: 0.66 MB
Data dodania: 4/30/2014
Liczba stron: 26
Drukuj instrukcję

Pobierz

Jak korzystać?

Naszym celem jest zapewnienie Ci jak najszybszego dostępu do treści zawartych w instrukcji obsługi urządzenia Cypress CY7C1414JV18. Korzystając z podglądu online możesz szybko przejrzeć spis treści i przejść do strony, na której znajdziesz rozwiązanie swojego problemu z Cypress CY7C1414JV18.

Dla Twojej wygody

Jeżeli przeglądanie instrukcji Cypress CY7C1414JV18 bezpośrednio na tej stornie nie jest dla Ciebie wygodne, możesz skorzystać z dwóch możliwych rozwiązań:

  • Przeglądanie pełnoekranowe - Aby wygodnie przeglądać instrukcję (bez pobierania jej na komputer) możesz wykorzystać tryp przeglądania pełnoekranowego. Aby uruchomić przeglądanie instrukcji Cypress CY7C1414JV18 na pełnym ekranie, użyj przycisku Pełny ekran.
  • Pobranie na komputer - Możesz również pobrać instrukcję Cypress CY7C1414JV18 na swój komputer i zachować ją w swoich zbiorach. Jeżeli nie chcesz jednak marnować miejsca na swoim urządzeniu, zawsze możesz pobrać ją w przyszłości z ManualsBase.
Cypress CY7C1414JV18 Instrukcja obsługi - Online PDF
Advertisement
« Page 1 of 26 »
Advertisement
Wersja drukowana

Wiele osób woli czytać dokumenty nie na ekranie, lecz w wersji drukowanej. Opcja wydruku instrukcji również została przewidziana i możesz z niej skorzystać klikając w link znajdujący się powyżej - Drukuj instrukcję. Nie musisz drukować całej instrukcji Cypress CY7C1414JV18 a jedynie wybrane strony. Szanuj papier.

Streszczenia

Poniżej znajdziesz zajawki treści znajdujących się na kolejnych stronach instrukcji do Cypress CY7C1414JV18. Jeżeli chcesz szybko przejrzeć zawartość stron znajdujących się na kolejnych strinach instrukcji, możesz z nich skorzystać.

Streszczenia treści
Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 1

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18
CY7C1412JV18, CY7C1414JV18
36-Mbit QDR™-II SRAM 2-Word
Burst Architecture
Features Configurations
■ Separate independent read and write data ports CY7C1410JV18 – 4M x 8
❐ Supports concurrent transactions CY7C1425JV18 – 4M x 9
CY7C1412JV18 – 2M x 18
■ 267 MHz clock for high bandwidth
CY7C1414JV18 – 1M x 36
■ 2-word burst on all accesses
Functional Description
■ Double Data Rate (DDR) interfaces on both read and write ports
(data transferred at 534 MHz) at 267 MHz
The

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 2

2M x 9 Array 2M x 8 Array 2M x 9 Array 2M x 8 Array CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Logic Block Diagram (CY7C1410JV18) 8 D [7:0] Write Write 21 Address A Reg Reg (20:0) Register 21 Address A (20:0) Register RPS K Control CLK K Logic C Gen. DOFF Read Data Reg. C CQ 16 V 8 REF 8 CQ Reg. Reg. Control WPS Logic 8 8 Q NWS Reg. [7:0] [1:0] 8 Logic Block Diagram (CY7C1425JV18) 9 D [8:0] Write Write 21 Address A Reg Reg (20:0) Register 21 Address A (20:0) Register RPS K Control CLK

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 3

1M x 18 Array 512K x 36 Array 1M x 18 Array 512K x 36 Array CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Logic Block Diagram (CY7C1412JV18) 18 D [17:0] Write Write 20 Address A Reg Reg (19:0) Register 20 Address A (19:0) Register RPS K Control CLK K Logic Gen. C DOFF Read Data Reg. C CQ 36 V 18 REF 18 CQ Reg. Reg. Control WPS Logic 18 18 BWS Q Reg. [1:0] [17:0] 18 Logic Block Diagram (CY7C1414JV18) 36 D [35:0] Write Write 19 Address A Reg Reg (18:0) Register 19 Address A (18:0) Register

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 4

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Pin Configuration [1] The pin configuration for CY7C1410JV18, CY7C1412JV18, and CY7C1414JV18 follow. 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout CY7C1410JV18 (4M x 8) 123456789 10 11 A CQ NC/72M A WPS NWS K NC/144M RPS AA CQ 1 B NC NC NC A NC/288M K NWS ANC NC Q3 0 C NC NC NC V AAA V NC NC D3 SS SS D NC D4 NC V V V V V NC NC NC SS SS SS SS SS E NC NC Q4 V V V V V NC D2 Q2 DDQ SS SS SS DDQ F NC NC NC V V V V V NC NC NC DDQ DD SS DD DDQ G NC D5 Q

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 5

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Pin Configuration [1] The pin configuration for CY7C1410JV18, CY7C1412JV18, and CY7C1414JV18 follow. (continued) 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout CY7C1412JV18 (2M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/144M A WPS BWS K NC/288M RPS A NC/72M CQ 1 B NC Q9 D9 A NC K BWS ANC NC Q8 0 C NC NC D10 V AAA V NC Q7 D8 SS SS D NC D11 Q10 V V V V V NC NC D7 SS SS SS SS SS E NC NC Q11 V V V V V NC D6 Q6 DDQ SS SS SS DDQ F NC Q12 D12 V V V V V NC NC Q5 DDQ D

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 6

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Pin Definitions Pin Name IO Pin Description D Input- Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write operations. [x:0] CY7C1410JV18 - D Synchronous [7:0] CY7C1425JV18 - D [8:0] CY7C1412JV18 - D [17:0] CY7C1414JV18 - D [35:0] WPS Input- Write Port Select − Active LOW. Sampled on the rising edge of the K clock. When asserted active, a Synchronous write operation is initiated. Deasserting deselects the writ

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 7

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Pin Definitions (continued) Pin Name IO Pin Description CQ Echo Clock CQ is Referenced with Respect to C. This is a free - running clock and is synchronized to the Input clock for output data (C) of the QDR-II. In the single clock mode, CQ is generated with respect to K. The timings for the echo clocks is shown in the Switching Characteristics on page 22. CQ Echo Clock CQ is Referenced with Respect to C. This is a free - running clock and

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 8

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Write Operations Functional Overview Write operations are initiated by asserting WPS active at the The CY7C1410JV18, CY7C1425JV18, CY7C1412JV18, and rising edge of the positive input clock (K). On the same K clock CY7C1414JV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs with a rise, the data presented to D is latched and stored into the [17:0] read port and a write port. The read port is dedicated to read are both lower 18-bit write data register,

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 9

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 clock mode, CQ is generated with respect to K and CQ is Programmable Impedance generated with respect to K. The timing for the echo clocks is An external resistor, RQ, must be connected between the ZQ pin shown in the Switching Characteristics on page 22. on the SRAM and V to allow the SRAM to adjust its output SS driver impedance. The value of RQ must be 5x the value of the DLL intended line impedance driven by the SRAM. The allowable These

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 10

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Truth Table [2, 3, 4, 5, 6, 7] The truth table for CY7C1410JV18, CY7C1425JV18, CY7C1412JV18, and CY7C1414JV18 follows. Operation K RPS WPS DQ DQ L-H X L D(A + 0) at K(t) ↑ D(A + 1) at K(t) ↑ Write Cycle: Load address on the rising edge of K; input write data on K and K rising edges. Read Cycle: L-H L X Q(A + 0) at C(t + 1) ↑ Q(A + 1) at C(t + 2) ↑ Load address on the rising edge of K; wait one and a half cycle; read data on C and C rising

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 11

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Write Cycle Descriptions [2, 8] The write cycle description table for CY7C1425JV18 follows. BWS K K Comments 0 L L–H – During the Data portion of a write sequence, the single byte (D ) is written into the device. [8:0] ) is written into the device. L – L–H During the Data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] H L–H – No data is written into the device during this portion of a write operation. H – L–H No data is written into t

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 12

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Instruction Register IEEE 1149.1 Serial Boundary Scan (JTAG) Three-bit instructions can be serially loaded into the instruction These SRAMs incorporate a serial boundary scan Test Access register. This register is loaded when it is placed between the TDI Port (TAP) in the FBGA package. This part is fully compliant with and TDO pins, as shown in TAP Controller Block Diagram on IEEE Standard #1149.1-2001. The TAP operates using JEDEC page 15. U

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 13

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 IDCODE BYPASS The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bit code into When the BYPASS instruction is loaded in the instruction register the instruction register. It also places the instruction register and the TAP is placed in a Shift-DR state, the bypass register is between the TDI and TDO pins and shifts the IDCODE out of the placed between the TDI and TDO pins. The advantage of the device when the TAP controller enters the Shift-D

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 14

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 TAP Controller State Diagram [9] The state diagram for the TAP controller follows. TEST-LOGIC 1 RESET 0 1 1 1 TEST-LOGIC/ SELECT SELECT 0 IDLE DR-SCAN IR-SCAN 0 0 1 1 CAPTURE-DR CAPTURE-IR 0 0 0 0 SHIFT-DR SHIFT-IR 1 1 1 1 EXIT1-DR EXIT1-IR 0 0 0 0 PAUSE-DR PAUSE-IR 1 1 0 0 EXIT2-DR EXIT2-IR 1 1 UPDATE-IR UPDATE-DR 1 1 0 0 Note 9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK. Document #: 001-12561 Rev. *D

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 15

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 TAP Controller Block Diagram 0 Bypass Register 2 1 0 Selection Selection TDI TDO Instruction Register Circuitry Circuitry 31 30 29 . . 2 1 0 Identification Register . 108 . . . 2 1 0 Boundary Scan Register TCK TAP Controller TMS TAP Electrical Characteristics [10, 11, 12] Over the Operating Range Parameter Description Test Conditions Min Max Unit V Output HIGH Voltage I = −2.0 mA 1.4 V OH1 OH Output HIGH Voltage I = −100 μA1.6 V V OH2 OH

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 16

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 TAP AC Switching Characteristics [13, 14] Over the Operating Range Parameter Description Min Max Unit t TCK Clock Cycle Time 50 ns TCYC t TCK Clock Frequency 20 MHz TF t TCK Clock HIGH 20 ns TH t TCK Clock LOW 20 ns TL Setup Times t TMS Setup to TCK Clock Rise 5 ns TMSS t TDI Setup to TCK Clock Rise 5 ns TDIS t Capture Setup to TCK Rise 5 ns CS Hold Times t TMS Hold after TCK Clock Rise 5 ns TMSH t TDI Hold after Clock Rise 5 ns TDIH t Capt

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 17

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Identification Register Definitions Value Instruction Field Description CY7C1410JV18 CY7C1425JV18 CY7C1412JV18 CY7C1414JV18 Revision Number 001 001 001 001 Version number. (31:29) Cypress Device ID 11010011010000111 11010011010001111 11010011010010111 11010011010100111 Defines the type of (28:12) SRAM. Cypress JEDEC ID 00000110100 00000110100 00000110100 00000110100 Allows unique (11:1) identification of SRAM vendor. ID Register 1111 Indi

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 18

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1J 1 6P29 9G 57 5B85 2J 2 6N 30 11F 58 5A 86 3K 3 7P 31 11G 59 4A 87 3J 4 7N32 9F 60 5C88 2K 5 7R 33 10F 61 4B 89 1K 6 8R 34 11E 62 3A 90 2L 7 8P 35 10E 63 2A 91 3L 8 9R 36 10D 64 1A 92 1M 9 11P 37 9E 65 2B 93 1L 10 10P 38 10C 66 3B 94 3N 11 10N 39 11D 67 1C 95 3M 12 9P 40 9C 68 1B 96 1N 13 10M 41 9D 69 3D 97 2M 14 11N 42 11B 70 3C 98 3P 15 9M 43

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 19

~ ~ CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 DLL Constraints Power Up Sequence in QDR-II SRAM ■ DLL uses K clock as its synchronizing input. The input must QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a have low phase jitter, which is specified as t . KC Var predefined manner to prevent undefined operations. During Power Up, when the DOFF is tied HIGH, the DLL gets locked ■ The DLL functions at frequencies down to 120 MHz. after 1024 cycles of stable clock. ■ If the input clo

Streszczenie treści zawartej na stronie nr. 20

CY7C1410JV18, CY7C1425JV18 CY7C1412JV18, CY7C1414JV18 Current into Outputs (LOW) ........................................ 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015).. > 2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the Latch-up Current ................................................... > 200 mA device. These user guidelines are not tested. Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with Pow


Podobne instrukcje
# Instrukcja obsługi Kategoria Pobierz
1 Cypress CapSense CY8C20x36 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
2 Cypress CY14B101L Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
3 Cypress CY14B101LA Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
4 Cypress CY14B104N Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
5 Cypress AutoStore STK14CA8 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
6 Cypress CY14B101Q2 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
7 Cypress CY14B104L Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
8 Cypress CY2048WAF Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
9 Cypress CY14B108L Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
10 Cypress 7C185-15 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
11 Cypress CY14B104NA Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
12 Cypress CY14B104M Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
13 Cypress AutoStore STK17TA8 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
14 Cypress CY62158E Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
15 Cypress CY14B256L Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 0
16 Sony MSAKIT-PC4A Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 2
17 Sony MRW62E-S1 2694866142 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 5
18 Philips MATCH LINE 9596 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 17
19 Sony 64GB SDHC Class 10 Memory Card Readers SF32UY Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 1
20 Philips PSC702 Instrukcja obsługi Sprzet komputerowy 1